学习子领域三学习情景六外延.ppt

外延生长操作步骤 装炉 将清洗好的硅片，放在已处理好的石墨加热器上，推入石英管内。 通气 先将H2以10~15L /min的速率通入反应室，然后再通入生长用的H2流量。通气时，一定由小到大，将反应室内空气赶净方能升温，以防止H2发生爆炸。 升温 采用高频加热只需几分钟就达到所需工作温度，（1150~1250℃）。 热处理 在工作温度下，恒定加热衬底2~3min，再进行5~10min气相抛光，以除去衬底表面1~2μm的损伤层，抛光后再赶气1~2min，防止残存HCl或其它杂质妨碍外延生长。 外延生长 确定好生长温度和各种气体流量； 生长时，温度不应发生波动，否则会影响生长速度和杂质在外延层均匀性，同时气体流量要合适； 速率控制在0.5~1.5μm/min； 闭源恒温 生长结束后，应先关闭含杂质的H2流，继续通氢气并恒温几分钟，不要急于降温，以防残存于系统中的SiCl4析出无定形硅而影响外延层表面质量； 降温取片 缓慢降温，使衬底逐步变冷，当基座温度低于300℃时，便可开炉取片； 外延中的掺杂 掺杂剂 氢化物： PH3， AsH3，BBr3，B2H6 氯化物： POCl3，AsCl3 自掺杂 自掺杂效应及来源 杂质来源： 外延生长期间，衬底杂质将不断扩散，并从其表面蒸发出来（在杂质衬底背面，由于其与加热基座直接接触，温度较高，蒸发将更甚）。 在外延生长正式开始前的热处理过程中也会引起杂质蒸发； 气相腐蚀时，随着硅的去除，大量杂质被释放出来，会使滞留层里的杂质大大增加； 加热基座、外延系统和输入气体中玷污的杂质也会进入外延层中； 三大因素： 重掺杂衬底中的大量杂质通过热扩散方式进入外延层，称为杂质外扩散； 衬底中的杂质因挥发等而进入气流，然后重新返回外延层，称为气相自掺杂； 气源或外延系统中的污染杂质进入外延，称为系统污染； 可见：外延层中的杂质除了人为地掺入外，还存在着衬底和其它杂质非人为地掺入，这些统称为自掺杂效应； 其它外延方式 选择外延与SOS外延 选择外延 定义：外延层只在晶片的指定区域上生长； 原理：设法控制衬底表面势或生长动力学条件，使硅原子只在需要处结晶成固相单晶层，在不需要处却无法结晶成核； 具体方法： （1）利用外延生长对温度和晶体取向的敏感性； （2）利用生长的逆过程——腐蚀，使得在需要生长硅的同时，非需要处析出来的硅却被腐蚀去除。 腐蚀剂： 硅烷反应剂自身（即在高浓度下进行外延生长）； 加入氯化氢（或溴化氢）气体； 掩蔽生长的掩蔽膜，如二氧化硅等； SOS外延 定义：在蓝宝石（Al2 O3） 、尖晶石（MgO.Al2 O3）等单晶绝缘衬底上生长出单晶硅膜，称为SOS外延； 用途：主要用来制作MOSIC； 优点：与全硅器件相比，结电容大大减小，避免了CMOS电路中寄生的可控硅效应，且器件尺寸可以做得很小； 砷化镓外延 外延方式： 气相外延：从卤化物等气体中析出砷化镓； 液相外延：从镓或锡等溶液中析出晶体； 分子束外延：将砷元素和镓元素以分子束的形式，直接喷射到衬底表面； 气相外延 由于砷化镓易分解成镓和砷，所以气相外延中无法直接用砷化镓蒸汽作反应剂，只有分别输送含有镓和砷的物质，并使之在衬底上方合成砷化镓而淀积在衬底表面 载气：高纯氢气 Ga-AsCl3-H2工艺 氢气携带三氯化砷蒸汽在反应器入口发生如下反应： 4AsCl3+6H2 As4+12HCl 生成的氯化氢使置于高温（850℃）的镓氯化，变成氯化镓气体。 2HCl+2Ga 2GaCl2 +H2 在此过程发生如下中间反应，即： As4+4 Ga 4 GaAs 800 ℃ 4GaAs+4HCl 4GaCl+2H2 + As4 逆反应，只有在800 ℃以上才向右进行； 衬底放在温度较低区域，一般为750 ℃，此时，上述反应是向逆反应进行的，生成GaAs； 液相外延 一种从溶液中生长晶体的方法； 把砷化镓溶解在镓、锡或镓-锡等低熔点等溶剂中使之饱和，然后将这种饱和熔体覆盖在衬底上，并逐渐降温； 随着温度的降低，砷化镓在熔体中的饱和溶解度降低而发生偏析，并在衬底表面进行再结晶形成外延层； CVD质量检测 测量参数： 膜厚（关键质量参数） 电阻率（四探针测试仪） 折射率（椭偏仪、四探针） 台阶覆盖率（扫面电子显微镜） 均匀性（取点测试） 应力 翘曲 膜厚测量： 比色法 椭圆偏振仪测试 * 学习情景三 常州信息职业技术学院 单元3：薄膜制备任务2 外延生长 薄膜技术 薄膜种类： （1）外延膜：用于器件的工作区； （2）掩蔽膜：实现定域工艺