电工与电子技术教学参考.docVIP

《电工与电子技术》教学参考 第9章 放大电路 本章的教学目的在于对模拟电子技术有概括的认识，重点是建立放大、反馈、振荡、等相关的基本概念。具体电路的分析仍从分立元件入手，例举最典型的电路来讲清基本概念，并不要求进一步掌握更多的分立元件电路。最后介绍集成运算放大器的具体用法。 课时分配建议 课次 节次及内容 课时数 1 9.1 晶体管及其电流放大作用 9.2 单管电压放大器（上） 2 2 9.2 单管电压放大器（下） 9.4 多级放大器 2 3 9.5 负反馈放大器 9.6 射极输出器 9.7 互补对称功率放大器 2 4 9.8 集成运算放大器 9.9 正反馈与正弦波振荡器 2 课时小计 8 如果课时较充裕，可以增加4学时，讲得详细些，课时分配方案如下： 课次 节次及内容 课时数 1 9.1 晶体管及其电流放大作用 9.2 单管电压放大器（上） 2 2 9.2 单管电压放大器（下） 9.3 场效晶体管 2 3 9.4 多级放大器 9.5 负反馈放大器 2 4 9.6 射极输出器 9.7 互补对称功率放大器 2 5 9.8 集成运算放大器 2 6 9.9 正反馈与正弦波振荡器 9.10 反馈在控制系统中的应用 2 课时小计 12 第1次课 课题：晶体管及其电流放大作用，单管电压放大器电路、各元件的作用、各点波形、静态工作点。 目的：掌握单管电压放大器的电路和放大原理 教学内容及说明：单管电压放大器是放大电路的基础，了解放大原理、建立相关的基本概念都必须从这里入手。但是应该看到：当前电子器件已发展到已集成电路为主，对于单一的晶体管特性进行详细的讨论已没有必要，例如：晶体管的输入、输出特性以及微变等效电路等都不必要讲。原先必须通过这些内容来讲的一些概念，不用它们同样可以讲清。与传统教材相比，本书在这方面做了较大的变动。 在讲放大之前，首先明确：根据能量守恒原理，电信号不可能自行放大。放大的过程实质上是以弱控强并使强信号模拟弱信号变化的过程。而晶体管就是一个能作到以弱控强的元件。 9.1 晶体管及其电流放大作用 晶体管的类型、结构、材料 NPN型，PNP型。多数情况下用NPN型。 发射极E，基极B，集电极C。 发射区、基区、集电区。发射区掺杂浓度高于集电区，所以发射极与集电极虽是同一类型的半导体但使用时不能互换。基区很薄，因此晶体管不等于两个二极管反向串联。 硅管，锗管。因为硅管的温度稳定性好，所以多数情况下用硅管。 晶体管的电流放大作用：用NPN型硅晶体管按以下顺序讲： 先把电源EC通过电阻RC加在晶体管C、E间，C接正，E接负。因集电结反偏，此时管子不导通，只有穿透电流ICEO 。（参看教材图9.2a） 再把电源EB通过电阻RB接到发射结，Ｂ接正，Ｅ接负。发射结正偏产生IB，因基区很薄且集电极有较高的正电位，所以同时产生IC，IC大于IB并受IB的控制，这就是电流放大作用。（参看教材图9.2b） IB经过的回路叫输入回路；IC经过的回路叫输出回路。两个回路的公共端是晶体管的发射极，所以叫共发射极电路。两个电流之比就叫共发射极电流放大系数β。 从以上分析得出：晶体管处于放大状态的必要条件是：发射结正向偏置和集电结反向偏置。只有发射结正向偏置才能产生IB，集电结反向偏置才能收集越过基区的载流子产生IC 。 如果上述条件有一条不满足，出现的情况是：发射结反向偏置（或零偏置）则IB=0，IC=ICEO称为截止；集电结正向偏置（或零偏置）则IC不随IB的增加而增加，称为饱和。 饱和出现的过程是：IC随IB的增大而增大，ICRC增大，集电极电位降低，当降低到和基极电位相等时，集电结零偏置，IC不再随IB的增加而增加，进入饱和状态。由此可知：管子具有放大作用的区间是从IC=0至IC=EC/ RC 。这一区间叫电流放大的动态范围。 以上叙述，思路清楚，把相关的一些基本概念顺利的连在一起，一气呵成，但不必涉及晶体管的输入、输出特性曲线。 晶体管的主要参数和型号：介绍β、ICEO、、ICM 、UCE（BR）、、PCM 。 参看表9.1 、9.2 介绍型号。 9.2 单管电压放大器（上） 1．放大电路原理：放大电路的任务是把一个小电压信号放大为不失真的较大的电压信号。（此处引出“失真”这个词） 画出放大电路，逐一分析各元件的作用，同时画出每一步的波形。 晶体管V：电流放大； EB和RB：如果将交流信号直接加到管子的发射结，那么只有信号的正半周期有可能产生电流并放大，信号将严重失真，为此要通过EB和RB产生基极偏流IB使信号与之叠加合成一个正方向的脉动电流，完整地放大。 C1：输入耦合电容。 RC：将放大后的电流信号转换为电压信号； C2：输出耦合电容，隔断直流，将放大后的交流电压输