造成在探针电压很小的时候等离子体特性有所改变.pptVIP

报 告 人 李 靖 指导老师 乐永康 报告内容 1. 引 言 2. 实验原理 3. 实验内容 4. 总 结 5. 鸣 谢 6. 参考文献 1 引言 直流辉光等离子体装置 图1 气体低压放电现象放电管内示意图 朗谬尔双探针法 图2 实验原理电路图 图3 理想的I-V曲线 2 实验原理与理论背景 设A1，A2分别为探针1，探针2的表面积，则探针间的电压： V=V1 – V2 0 (1) 其中，V1，V2分别为探针1、探针2的电位。 若我们定义：i1+，i1-，i2+，i2-分别为探针1和探针2的离子电流和电子流，则探针系统浮动的条件为： i1+ + i1- - i2+ - i2- = 0 (2) 在整个闭路电路 I = i1- - i1+ = i2+ - i2- (3) 令jr为随机电子流密度，则 i1- = A1jrexp(eV1 / kTe) (4a) i2- = A2jrexp(eV2 / kTe) (4b) 由(1)、(3)式得 ( I + i1+ ) / (i2+ - I ) = A1 / A2·exp( eV / kTe ) (5) 当A1=A2时，有 i1+ ≡ i2+ ≡ i2+ 可得 I = i+th(eV / 2kTe) (6) 上式为双探针法的理论公式。我们可以从(5)式的对数式中求得kTe。但是，我们还可以有更简便的方法通过求出I-V特性曲线过原点的斜率而计算出电子温度Te，即： 3 实验内容 1.探针氧化对等离子体特性测量I-V曲线的影响 图4 功率962V*12.44mA=12.0W气压20Pa测量曲线 3 实验内容 1.探针氧化对等离子体特性测量I-V曲线的影响 ①电压设置太高，造成等离子体的不稳定，造成在探针电压很小的时候等离子体特性有所改变； 原因 ②本实验所通过的气体为空气，探针的材质为金属，其在O2氛围中造成氧化。这使得金属的伏安特性变化。 3 实验内容 1.探针氧化对等离子体特性测量I-V曲线的影响 1.1 设置各个电压测量等离子体特性I-V曲线 图5 不同电压和功率下的I-V曲线 3 实验内容 1.探针氧化对等离子体特性测量I-V曲线的影响 1.2 探针表面氧化而造成的曲线影响 图6 洗探针表面氧化膜电路示意图 3 实验内容 1.探针氧化对等离子体特性测量I-V曲线的影响 1.2 探针表面氧化而造成的曲线影响 图7 对探针表面氧化膜进行清理后的数据图像 3 实验内容 1.探针氧化对等离子体特性测量I-V曲线的影响 ①电压设置太高，造成等离子体的不稳定，造成在探针电压很小的时候等离子体特性有所改变； 原因 ②本实验所通过的气体为空气，探针的材质为金属，其在O2氛围中造成氧化。这使得金属的伏安特性变化。 3 实验内容 2 探针等离子体电位对等离子体特性测量I-V曲线不对称性的影响 图8 实验所得曲线的不对称性 由于两探针处在等离子体的不同空间电位上，使得当探针间外加电压为0时，探针回路电流并不为0。 3 实验内容 2 探针等离子体电位对等离子体特性测量I-V曲线不对称性的影响 2.1 实验原理与实验数据 图9 放电管电压正接(a)与反接(b)时所测得的I-V曲线图 △I1 △I1 △I2 △I2 3 实验内容 2 探针等离子体电位对等离子体特性测量I-V曲线不对称性的影响 2.2 理论分析 图10　不加探针时正负电荷的运动 图11　单探针的离子鞘 图12　双探针离子鞘半径比较 图13　双探针直接相连时的外电流 3 实验内容 2 探针等离子体电位对等离子体特性测量I-V曲线不对称性的影响 2.2 理论分析 图14　正向偏压的双探针外电流 图15　正向偏压时的I-V曲线 图16　反向偏压的探针电流 4 总结 （1）随着实验的增多，通过空气多，加上高压，造成探针表面氧化会导致测量等离子体参数时候造成误差，这会影响实验的数据。故，在实验前，要对探针表面氧化膜进行清理。 对于探针表面氧化膜形成，探针寿命也会因此缩短，虽然清理氧化膜后探针表面会洁净，但是长此以往，探针的表面积也会受到消耗，探针表面积对于实验的影响也是无法估计的[11]。所以，必须找到方法解决这一问题。例如，可以考虑通过通入N2或者H2等气体来解决问题。 （2）等离子体特性测量I-V曲线的不对称性是由于两探针所处的等离子体电位不等，造成所测的探针实际电流不对称引起的。 要克服这一不对称性，在制造仪器时要使得两探针相对于放电管电流方向严格垂直，这样才能使两探针等离子体电位相等，才能使测量的I-V曲线