器件隔离二氧化硅介电常数大.ppt

第三章 氧化介质薄膜生长 问题1：为什么硅是目前所有半导体材料中应用最为成功的材料？ 1 二氧化硅的结构、性质和用途 二氧化硅又名硅石，主要以石英砂形式存在。 SiO2的结构 由Si－O四面体组成 四面体中心是硅原子，四个顶角上是氧原子 四面体之间由Si-O-Si桥连接，该O原子称为桥联氧 二氧化硅晶体结构示意图 二氧化硅的性质 a、物理性质： 坚硬难熔（溶）的固体，熔点（1723℃）沸点（2230℃）高， 不导电 （3）高温与活泼金属或非金属作用 总结：SiO2的基本性质 良好的电绝缘介质 (Gate Oxide, Field Oxide) Resistivity 1020 ohm·cm Energy Gap ~ 9eV 高的击穿场强 (10MV/cm) 稳定的可重复的Si/SiO2界面特性 在Si表面的均匀的SiO2生长 对大多数杂质来说，SiO2是非常好的扩散掩膜 SiO2在集成电路制造中的应用 Gate oxide and capacitor dielectric in MOS devices ? Isolation of individual devices (STI) ? Masking against implantation and diffusion ? Passivation of silicon surface 1.SiO2作为掺杂阻挡层 原因：利用硼和磷在二氧化硅中的扩散速率都要远低于其在硅单晶中的扩散速率。 Masking against implantation and diffusion 2. 表面钝化 作用： 防止器件的表面和内部受到机械损失和杂质污染，起到了保护作用。 绝大多数晶园表面被覆盖了一层足够厚的氧化层来防止从金属层产生的感应，这时的SiO2称为场氧化物。 如图所示。 2 硅的热氧化 硅的热氧化是指在1000℃以上的高温下,硅经过氧化生成二氧化硅的过程. 热氧化分为干氧氧化、湿氧氧化、水气氧化以及掺氯氧化、氢氧合成等。 2.1热氧化方法 1.干氧氧化：氧分子与硅直接反应生成二氧化硅 无论是干氧或者湿氧工艺，二氧化硅的生长都要消耗硅，如图所示。硅消耗的厚度占氧化总厚度的0.44，这就意味着每生长1μm的氧化物，就有0.44μm的硅消耗（干、湿氧化略有差别）。 水汽氧化 Si + 2H2O SiO2 + 2H2 高溫狀態下，H2O 會解離成 H 和 H-O H-O 在二氧化矽比氧擴散快 濕氧氧化反應比乾氧氧化反應的成長速率高. 掺氯作用 氯可以减少氧化层里的移动离子（Na）电荷，在SiO2-Si界面可同硅的悬挂健结合，减少界面态。可与重金属杂质生成氯化物气体排出，从而减少硅表面及氧化层的结构缺陷 薄的MOS栅极氧化层质量要求很高，为了满足这一要求，通常采用加氯氧化法 通过一定的理论分析可知，在初始阶段氧化层厚度(X)与时间(t)是线性关系，而后变成抛物线关系。 通常来说，小于1000埃的氧化受控于线性机理。这是大多数MOS栅极氧化的范围。 氧化速率區域的說明圖 2.温度对氧化速率的影响 温度与氧化速率成指数关系，温度越高，氧化速率越大。 2.2 热氧化设备简介 热氧化的基本设备 卧式炉 立式炉 快速热处理（RTP） 氧化扩散炉 裝載晶圓, 水平式系統 裝載晶圓, 垂直式系統 快速热处理 快速加热制程（RTP） 传统的高温加热炉是一种批量工具，一次能够处理数百片晶圆。由于热容量大，因此制程炉管或制程反应室的温度只能慢慢地升高和慢慢地降低。 RTP是一种单晶圆制程，它能够以每秒钟75度到200度的速率升温。 RTP溫度和高溫爐 快速加熱製程(RTP) 反應室 快速退火技术(RTP技术) 特点:单片操作. 优点: 1.杂质浓度不变,并100%激活. 2.残留晶格缺陷少,均匀性和重复性好. 3.加工效率高,可达200~300片/h. 4.设备简单,成本低. 5.温度较高(1200℃)，升温速度较快(75~200 ℃/sec) 6.掺杂物的扩散最小化 退火後摻雜物擴散 1.快速加热工艺主要是用在离子注入后的退火，目的是消除由于注入带来的晶格损伤和缺陷。 2.使用单晶圆RTP系统来生长高品质的超薄氧化层。由于器件尺寸越来越小的趋势使得加在晶园上的每层的厚度越来越薄，厚度减少最显著的是栅极氧化层。先进的器件要求栅极厚度小于0.01微米。目前的栅氧化层厚度大概在3nm左右。如此薄的氧化层对于普通的反应炉来说，是难以实现的。而RTP系统快速升温降温可以提供所需的控制能力。 3 热处理（退火） 热处理是简单地将硅片加热和冷却来达到特定结果的一个工艺,也叫退火。在热处理过程中，在晶圆上不但没有增加或减去任何物质，反而