第6章 氧化 17.docVIP

第6章 氧 化 在硅表面形成二氧化硅钝化层的能力是硅技术中的关键因素之一。在本章中，将介绍氧化硅生长的工艺、形成及用途。其中，详细说明该工艺中最重要的部分 —— 反应炉，因为它是氧化、扩散、热处理及化学气相淀积反应的支柱。 另外，也会涉及到氧化反应的下同方法，其中包括快速热氧化工艺。 6.1 氧化硅层的用途 当硅表面暴露在氧气当中时，都会形成氧化硅（见下图）。 表面钝化 它是由一个硅原子和两个氧原子组成的（SiO2）。在日常生活中，我们经常会遇到氧化硅，它是普通窗玻璃的化学组成成分 （1） 但用于半导体上的氧化硅，是高纯度的，经过特定方法制成的。它是在有氧化剂及逐步升温的条件下，在光洁的硅表面上生成的，这种工艺叫热氧化。 （2） 尽管硅是一种半导体材料，但氧化硅却是一种绝缘材料。使得它成为硅器件制造中得到最广泛应用的一种膜层。可以作为器件中的绝缘部分。 ( 表面钝化 在第5章中，我们说明了半导体器件对污染的极端敏感性。 氧化硅层在防止硅器件被污染方面扮演着一个重要角色。体现在两个方面： （1）保护器件的表面及内部。 在表面形成的氧化硅密度非常高（无孔），非常硬。因此它可以阻挡环境中脏物质侵入敏感的晶圆表面。同时，它的硬度可以防止晶圆表面在制造过程中被划伤，以及增强晶圆在生产流程过程中的耐用性。 （2）( 掺杂阻挡层 在第5章中，掺杂被定义为4种基本工艺制造之一。掺杂需要在表面层上建立一些洞，通过离子注入或扩散的方法把特定的掺杂物引入到暴露的晶圆表面。 留在硅表面上的氧化硅能够阻挡掺杂物浸人硅表面。在硅技术里用到的所有掺杂物，其在氧化硅里的运行速度低于在硅中的运行速度。 作为掺杂阻挡层的氧化硅 当掺杂物在硅中穿行达到所要求的深度时，它在氧化硅里才走了很短的路径。所以，只要一层相对薄的氧化硅，就可以阻挡掺杂物浸入进硅表面。 此外，人们钟爱氧化硅的另一个原因，是因为它的热膨胀系数与硅的热膨胀系数很接近。在高温氧化工艺、掺杂扩散或其他一些工艺中，晶圆会热胀冷缩。这就意味着，在加热或冷却时，晶圆不会产生弯曲。 ( 表面绝缘体 氧化硅被归类为绝缘材料，这意味着在正常情况下它不导电。 作为绝缘层的氧化硅层 上图表示了一个晶圆的侧切面。 （1）氧化硅层的上面是一层金属导电层。氧化层使得金属层不会与下面的金属层短路，就像电线的绝缘材料保护电线不会短路一样。 （2）氧化层的这种能力要求氧化层必须是连续的，膜中不能有空洞或孔存在。 （3）氧化层必须足够厚，以避免感应现象的产生。感应产生于足够薄的金属层，以至于电荷在晶圆表面产生聚积效应。表面电荷可导致短路及不希望的电荷影响。 用足够厚的氧化层来防止从金属层产生的感应，这被称为场氧化物。 ( 氧化层的厚度 氧化层厚度的变化范围很大。薄的氧化层主要有MOS器件中的栅级，它的厚度是在 35 ~ 80? 的范围（这里 10 000 ? =1(m）。厚的氧化层主要用于场氧化层。 下表列出了不同的厚度范围及其对应的主要用途。 氧化硅厚度表 6.2 热氧化机制 6.2.1 热氧化的原理 热氧化生长是非常简单的化学反应： Si（固态）+ O2（气态） SiO2 （固态） 这里 ( 表示加热。这个反应甚至在室温条件下也能发生。 可是，在实际应用中，需要用阶梯式升温方法，在合理的时间内获得高质量的氧化层。氧化温度一般在900(C ( 1300(C之间。 尽管化学方程式说明了硅与氧所发生的反应，但并没有说明氧化的生长机制。 为了理解生长机制，可以想像把一片晶圆放到加热室中，暴露在氧环境中，如图（a）。 （1）氧原子与硅原子结合，这一阶段是线性的，因为在每个单位时间里，氧的生长量是一定的，见图（b）。 大约长了500?以后，线性生长率达到极限。 氧化硅的生长阶段：(a)初始；(b) 线性；(c)抛物线 （2）为了保持氧化层生长，氧原子与硅原子必须接触。可是，在硅表面生长的一层氧化硅层阻挡了氧与硅原子的接触。 为了氧的继续生长，一是让晶圆中的硅浸入到氧气中，或者让氧必须进入到晶圆表面。 在氧化硅的热生长中，氧气通过现存的氧化层进入到硅表面（技术上称为扩散）。因此氧化硅从硅表面消耗硅原子，氧化层长入到硅表面。 （3）随着每一个新的生长层，扩散的氧必须移动更多的路程才能到达晶圆。 其结果是，从时间角度来讲，氧生长率会变慢，这一阶段被称为抛物线阶段。 当画出图形，就会发现氧化膜厚度、生长率及时间的数学关系是抛物线形。 下图说明的是线性和抛物线形的两个阶段。 氧化硅的线性和抛物线生长 下图的公式说明了大约超过1200?时，氧化硅生长的抛物线关系。 氧化硅生长参数的抛物线关系 （4）总结。 生长氧化层会通过两个阶段：