半导体复习教程.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 第7章 金属和半导体的接触 清楚并能分析： 金属半导体接触及其能带图 （金属和半导体功函数影响） 清楚：表面态对接触势垒的影响 解释：费米能级钉扎 金属功函数对势垒高度影响小 当Wm<Ws时，也可能形成n型阻挡层 　　 能简释：金属半导体接触整流理论概念 扩散理论 热电子发射 理论思路及适用条件 扩散理论 热电子发射理论 能简释修正： 镜像力影响 隧道效应影响 清楚解释： 肖特基势垒二极管与PN结二极管异同 　　 　　 了解：金半接触中少子注入行为 欧姆接触 解释：为什么不能选择金半功函数形成欧姆接触 第8章 半导体表面与MIS结构 清楚理想情况 （1）金属与半导体间功函数差为零； （2）在绝缘层内没有任何电荷且绝缘层完全不导电； （3）绝缘体与半导体界面处不存在任何界面态。 清楚并分析理想情况下 MIS结构金/半间加一电压产生垂直于表面的电场时，半导体表面层内的电势及电荷分布情况。 能画出不同导电类型积累、平带、耗尽、反型能带图 清楚：由F函数取近似得到不同情况下 表面空间电荷层的电场、电势和电容 清楚：平带电容与那些参数有关 清楚：临界反型条件与那些参数有关 解释：产生深耗尽原因 清楚： MIS结构的电容—电压特性 平带电容对应平带电压在分析中的重要性对 功函数对平带电压影响 绝缘介质中固定电荷分布对平带电压影响 了解：界面态对C－V特性影响 了解： 硅-二氧化硅系统的性质（BT实验） 了解： 表面电导及迁移率 * * * * * * * * 间接复合 清楚：复合中心的Et四个微观过程 ? ? 了解：非平衡载流子净复合率导出思路和使用 ? 清楚：金在硅中的复合作用 EtA EtD 简释：表面复合 常用表面复合速度描写表面复合 解释：寿命τ是“结构灵敏”的参数 俄歇复合 了解：俄歇复合三粒子过程 解释：陷阱效应 陷阱中心 清楚：杂质能级处于什么样位置最有利于陷阱作用 了解：陷阱对附加电导率影响 清楚：几种典型条件下非平衡载流子扩散分布 了解：爱因斯坦关系导出思路 简释：爱因斯坦关系 了解：连续性方程式导出思路 能使用连续性方程式处理典型条件问题 了解：测量半导中载流子迁移率 了解：连续性方程解决表面复合问题 给出在半导体材料长度为L中引起电场为E的掺杂浓度分布 半导体材料中，杂质浓度分布为Nd(x)=Nd0exp(－x/L) （0≤x≤L） （a）导出电子扩散电流密度表述 （b）给出刚好抵消扩散电流密度的漂移电流密度的电场E -3L -L 3L L 0 x 讨论如图n型半导体，光照下产生恒定过剩载流子产生率G。在区域-L<x<+L.假设少子寿命无穷,过剩载流子浓度在x=-3L和x=+3L处为0.给出0偏和小注入情况下稳态过剩载流子浓度随x的变化. 第6章 pn结 电流电压特性 对理想I-V修正 电容效应 击穿特性 熟悉：pn结及其能带图 pn结接触电势差 pn结的载流子分布 简释：耗尽层近似、空间电荷区势垒区 pn结电流电压特性 清楚：非平衡状态下的pn结的能带变化 始终抓住破坏平衡（载流子扩散运动和漂移运动） 　 非平衡载流子的电注入 pn结中电流分布情况 pn结加反向偏V，反偏在势垒区产生电场与内建电场方面一致 从图可知pn结反偏电流较小趋于饱和 pn结的能带图 在势垒区内，准费米能级被认为保持不变 清楚理想pn结模型及其电流电压方程 理想pn结模型(4个假设)： （1）小注入条件——注入的少子浓度比平衡多子浓度小得多； （2）突变耗尽层条件——外加电压和接触电势差都降落在耗尽层上，耗尽层中的电荷是由电离施主和电离受主的电荷组成，耗尽层外的半导体是