半导体器件概论教程.pptVIP

* IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电压，称为截止区。 * 3、主要参数 前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。 共射直流电流放大倍数： （1）电流放大倍数和 ? * 工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为?IB，相应的集电极电流变化为?IC，则交流电流放大倍数为： * 例：UCE=6V时：IB=40?A IC=1.5mA IB=60?A IC=2.3mA 在以后的计算中，一般作近似处理：? = * （2）集-基极反向截止电流ICBO ?A ICBO ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。 * （3）集-射极反向截止电流ICEO（穿透电流） ?A ICEO ICEO≈（1＋ ?） ICBO * （4）集电极最大电流ICM 集电极电流 IC 上升会导致三极管的? 值的下降，当? 值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。 所以集电极电流应为：IC= ? IB+ICEO 而ICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 * （5）集-射极反向击穿电压 当