半导体器件教程.pptVIP

* 1.5.3 三极管的特性曲线及主要参数 ③ 饱和区 三极管工作在饱和状态时具有如下特点： （a）三极管的发射结和集电结均正向偏置，有电位关系UBUCUE （b）三极管的电流放大能力不足，通常有ICβIB； （c）规定UCE= UBE时的状态为临界饱和，称此时的电压UCE为三极管的饱和压降，用UCES表示。一般硅三极管的UCES约为0.3V，锗三极管的UCES约为0.1V； （d）三极管的集电极和发射极近似短接，三极管类似于一个开关导通。 三极管作为开关使用时，通常工作在截止和饱和导通状 态；作为放大元件使用时，一般要工作在放大状态。 * 1.5.3 三极管的特性曲线及主要参数 3、主要参数： （1）共发射极电流放大系数β(交流放大系数)和β(直流放大系数) 它是指从基极输入信号，从集电极输出信号，此种接法（共发射 极）下的电流放大系数。 （2）极间反向电流 ① 集电极基极间的反向饱和电流ICBO ② 集电极发射极间的穿透电流ICEO (衡量管子质量的指标) * 1.5.3 三极管的特性曲线及主要参数 （3）极限参数 ① 集电极最大允许电流ICM ② 集电极最大允许功率损耗PCM ③ 反向击穿电压U(BR)CEO * 1.5.3 三极管的特性曲线及主要参数 （4）温度对三极管参数的影响： ① 对β的影响：β随温度的升高而增