半导体器件物理4施敏教程.pptVIP

起源：理想表面态密度为1015cm-2 ，但因为硅表面附 着了氧化物薄膜后，硅表面大部分的悬挂键被氧所饱 和，故硅－二氧化硅的界面态密度低几个数量级；其 次，硅的（111）晶面比（110）和（100）面大，故做 MOS结构时一般选【100】晶向硅单晶。 此外，硅表面的晶格缺陷和损伤以及界面处的 杂质也可引入界面态。 一般可通过后退火处理，能有效地减小界面态 密度。如含H气氛中退火（400～500℃），使 得界面形成H-Si键，减小态密度。 4、陷阱电荷 在Si-SiO2界面处附近，会有一些载流子的陷阱， 由于辐照的原因，使得在SiO2中产生一些电子空 穴对，电子在外加电场作用下，被扫向栅结，而 空穴难以移动会被陷阱俘获，形成正的空间电荷。 但辐照感应产生的空间电荷可以通过300℃ 以上 退火消除。 所以，后处理对MOSFET的性能的稳定是 非常重要的。 §8.5 表 面 电 导 及 迁 移 率 1.表面电导 特点： 表面电导的大小应取决于表面层内载 流子的数量及其迁移率。 载流子数量及迁移率越大，表面电导 也越大。 半导体的表面电导也随周围环境变化。 应用： 垂直于表面方向的电场形成的表面势 可控制表面电导－－ MOS场效应管。 由于表面电场的作用，在半导体表面层引起的 附加空穴和电子数（△p 、△n ），其值由表 面势VS 等决定。 多子积累时电导增加；当表面势变化时表面处于