半导体物理与器件裴素华4单元MOS场效应晶体管教程.pptVIP

PPT研究院 POWERPOINT ACADEMY * * * * 饱和负载增强型倒相器工作原理示意图 a) 电路 b)工作点 4.6.2 MOS场效应晶体管的开关过程 1.非本征开关过程 导通过程 关断过程 2. 本征开关过程 本征开关过程是指载流子通过沟道的传输所引起的大信号延迟开关过程。 电阻负载倒相器等效电路 4.6.3 MOS场效应晶体管的开关时间计算 MOS 场效应晶体管开关波形示意图 1. 非本征开关时间表示式 延迟时间td，存储时间ts 由下列式子给出: MOS场效应晶体管的开通时间ton和关断时间toff基本相等，即（其中tf为下降时间） 2. 本征延迟开关时间表示式 在线性工作区，本征开通延迟时间为 在饱和区，本征开通延迟时间为 4.7 MOS场效应晶体管的温度特性4.7.1 迁移率随温度的变化 由实验发现，在MOS场效应晶体管的反型层中，当表面感生电荷密度 时，电子和空穴的有效迁移率实际上是常数，其数值等于半导体内迁移率的二分之一。实验还发现，此时迁移率随温度上升而呈下降趋势。 另外，在强电场下，当沟道中载流子达到速度饱和时，由于温度升高，沟道载流子的散射过程加剧，有散射而损失的能量增大。因而强场下沟道载流子的饱和速度也随温度升高而下降，从而使短栅器件的漏电流随温度增加而减小。 4.7.2 阀值电压的温度特性 N沟MOS阀值电压随温度的变化关系为 显然，N沟器件的 ，阀值电压随温度的升高而下降。 而对P沟MOS场效应晶体管来说，其阀值电压则随温度的升高而增大。 实验还证明：在-55到+125 的范围，N沟与P沟MOS晶体管的阀值温度都随温度呈线性变换. 4.7.3 MOS场效应晶体管几个主要参数的温度特性 非饱和区的温度特性 1）电流的温度特性 漏极电流的温度系数为 令 ,可得到零温度的工作条件为 2) 跨导的温度特性 跨导的温度系数为 在非饱和区内，跨导温度的变化只与迁移率的温度特性有关，因而跨导的温度系数为负，即跨导随温度的升高而下降。 3) 漏电导的温度特性 2. 饱和区的温度特性 将饱和漏极电流，跨导即漏导分别对温度求导，可得三者的温度系数分别为： 4.8 MOS场效应晶体管短沟道效应4.8.1 阀值电压的变化 短沟道效应的器件几何模型 在短沟道器件中，阀值电压随沟道长度的缩短和宽度变窄而产生漂移。具体地说，沟道长度缩短使栅下可控空间电荷减少，阀值电压下降；沟道宽度变窄使栅下可控空间电荷增多，阀值电压上升。 4.8.2 漏特性及跨导的变化 速度饱和时的跨导 当沟道长度缩短到漏端出现速度饱和效应时,其跨导gmv低于长沟道跨导gm，并随沟道长度的减小而降低。 当L进一步缩短时,就可能出现沟道穿通. 4.8.3 弱反型区(亚阀值)漏电流变化 短沟道效应不仅引起阀值电压漂移，饱和漏电流和跨导下降，同时还使弱反型的亚阀值电流增大。 弱反型区漏电流随沟道长度的变化 穿通后沟道中点向衬底方向的电流、电位分布 a) 夹不断现象 b) 电流电位分布 4.8.4 长沟道器件的最小沟道长度限制 具有长沟道特性的最小沟道长度为 式中，γ为衬偏调制系数；XmD+XmS 表示漏源耗尽层总宽度。 Lmin 与 r 的关系 在线教务辅导网： 更多课程配套课件资源请访问在线教务辅导网 馋死 4.3 MOS场效应晶体管的阀值电压4.3.1 阀值电压 1. MOS 结构中的电荷分布 对于MOS 结构的P型半导体，其费米势为： 左图给出了 MOS 结构强反型时的能带图和电荷分布图。 能带图 电荷分布图 2. 理想 MOS 结构的阀值电压 理想MOS 结构是指忽略氧化层中的表面态电荷密度，且不考虑金属-半导体功函数差时的一种理想结构。 理想 MOS 结构的阀值电压为 3. 实际 MOS 结构的阀值电压 在实际的 MOS 结构中，存在表面态电荷密度QOX和金属-半导体功函数差фms。 因此，在实际MOS结构中，必须用一部分栅压去抵消它们的影响。才能使MOS结构恢复到平带状态，达到理想MOS结构状态。 实际 MOS 结构的阀值电压为： 4.3.2 影响阀值电压的其他诸因素 1. 栅氧化层厚度与质量的影响 2. 绝缘栅表面态电荷密度QOX的影响 右图为室温下AI 栅 N沟(P沟) MOS 的UT 随 NA(ND) 和QOX变化的理论曲线 a) N