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PPT研究院 POWERPOINT ACADEMY * * 一片32KB的62256RAM与MCS-51单片机的接口电路如图所示,地址范围为0000H~7FFFH。 例9-1:编写程序将片外数据存储器1000H~107FH全部清零。 方法一: MOV DPTR, #1000H ;设置访问地址起始地址 MOV R2, #80H ;设置循环计数初值 CLR A ;清零累加器A LOOP: MOVX @DPTR, A ;将A中的0写到外部RAM INC DPTR ;地址指针加1 DJNZ R2 LOOP ;计数减1,不为0则跳至LOOP 方法二: MOV DPTR, #1000H ;设置访问地址起始地址 CLR A ;清零累加器A LOOP: MOVX @DPTR, A ;将A中的0写到外部RAM INC DPTR ;地址指针加1 MOV R2, DPL ;读取DPTR底位 CJNE R2, #80H, LOOP ;与结束地址比较,未结束则跳至LOOP 9.5 程序存储器的扩展 (1)掩膜ROM 在制造过程中编程。因此只适合于大批量生产。 (2)可编程ROM(PROM) 用独立的编程器写入。但PROM只能写入一次,且不能再修改。 (3)EPROM 紫外线擦除的只读存储器芯片。 (4)E2PROM( EEPROM) 电信号擦除的ROM芯片。读写操作与RAM几乎没有什么差别,只是写入的速度慢一些。但断电后能够保存信息。 (5)Flash ROM 又称闪烁存储器,简称闪存。大有取代E2PROM的趋势。 9.5.1 常用的EPROM芯片 典型芯片是27系列产品。例如:2764(8KB×8)、27128(16KB×8)、27256(32KB×8)、27512(64KB×8)。 “27”后面的数字表示其位存储容量。 1.常用的EPROM芯片 引脚功能如下: A0~A15:地址线引脚。数目决定存储容量来定,用 来进行单元选择。 D7~D0:数据线引脚 CE*:片选输入端 OE* :输出允许控制端 PGM*:编程时,加编程脉冲的输入端 Vpp:编程时,编程电压(+12V或+25V)输入端 Vcc:+5V,芯片的工作电压。 GND:数字地。 引脚信号方式 / Vpp D7~D0 读出 低 低 +5V 程序读出 未选中 高 × +5V 高阻 编程 正脉冲 高 +25V(或+12V) 程序写入 程序校验 低 低 +25V(或+12V) 程序读出 编程禁止 低 高 +25V(或+12V) 高阻 EPROM引脚如下图 9.5.2 典型的EPROM接口电路 使用单片EPROM的扩展电路 外扩16KB的EPROM 27128的电路如图,图中程序存储器所占的地址空间为0000H~03FFFH。 2. 使用多片EPROM的扩展电路 利用4片27128 EPROM扩展成64KB程序存储器,片选信号由译码选通产生。 9.5.3 常用的E2PROM芯片 常用的E2PROM芯片有2816/2816A,2817/2817A,2864A等。这些芯片的引脚如图所示。 9.5.4 典型的E2PROM的接口电路 1. MCS-51单片机外扩2817A 2. MCS-51单片机外扩2864A 9.6 EPROM和RAM的综合扩展 9.6.1 综合扩展的硬件接口电路 例9-2:采用线选法扩展2片8KB的RAM和2片8KB的EPROM。接口电路如下图。 1.控制信号及片选信号 当P2.6=0,P2.5=1,IC2和IC4的片选端 为低电平,IC1和IC3的 全为高电平。当P2.6=1,P2.5=0时,IC1和IC3的 端都是低电平,同时选中2个芯片,具体哪个芯片工作还要通过PSEN*、WR* 、RD* 控制信号控制。 2. 各芯片地址空间分配 显然除P2.6、P2.5位固定外,其他“×”位均可不变。设无用位P2.7=0,“×”各位全为0则为最小地址2000H;若“×”各位均变为1则为最大地址3FFFH,所以IC2和IC4占用地址空间为2000H ~ 3FFFH共8KB。同理IC1、IC3地址范围4000H~5FFFH(P2.6=1、P2.5=0、P2.7=0),IC2与IC4占用相同的地址空间,由于二者1个为程序存储器,一个为数据存储器,3个控制线PSEN*、WR* 、RD*只能有一个有效。隐藏地址空间重叠也无关系,IC1与IC3也同样。 例9-3:采用译码法扩展2片8KB EPROM,2片8KB RAM。EPROM选用2764,RAM选用6264。共扩展4片芯片。接口电路如图所示。 译码法进行地址分配,各芯片地址空间是连续的。 芯片
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