材料的电学性能201205161节.pptVIP

晶体的电导率为所有载流子电导率之和。 离子的迁移率 离子电导实际是离子在电场作用下扩散的结果。 离子扩散方式： 空位扩散：空位定向移动或空位与晶体离子交换位置而移动；如氧离子导电体 间隙扩散：间隙离子从一个间隙位置扩散到另一个间隙位置，一般需要比空位扩散更大的能量。 亚晶格-间隙扩散：较大的间隙离子通过取代附近的晶格离子产生移动，这种扩散比纯间隙扩散所产生的晶格畸变小些。如AgBr中的Ag+离子扩散。 离子的迁移率 在材料内部存在载流子浓度梯度，由此形成载流子的定向运动，形成的电流密度(单位面积流过的电流强度）为： J1=－Dq·?n/?x 式中，n为单位体积浓度，x为扩散方向，q为离子的电荷量， D为扩散系数。 离子的迁移率 在外电场存在时，电场所产生的电流密度可以用欧姆定律的微分式表示(V为电位) J2=?E= ? ·?V/?x 所以，总电流密度Jt可以表示为 Jt=J1-J2=－Dq·?n/?x － ?·?V/?x 离子的迁移率 根据波尔兹蔓（Boltzmann）能量分布，载流子浓度与电势能有以下关系: n=n0exp(－qV/kT) 对上式微分，得浓度梯度为： ?n/?x=－qn/kT×?V/?x 将上式代入总电流密度方程式（热平衡状态时Jt=0），得 ?=D·nq2/kT 离子的迁移率 方程式 ? =D·nq2/kT 为能斯特-爱因斯坦方程。 它建立了离子导电率与扩散系数之间的联系。 影响离子电导率的因素 1、温度 根据离子电导率的公式 ?= Aexp[-B/T]可以看出，电导率随温度按指数形式增加。 T-1 lnσ 1 2 A 离子导电与温度的关系 右图表示电解质的导电率随温度的变化曲线。导电率对数与温度倒数呈线性关系。如果是一种导电方式，则表现为一条直线。 随着温度的升高，可能会出现另一种导电方式（如杂质导电为主转变为本征离子导电，或电子导电等），则曲线出现转折点A。 2、晶体结构 根据离子电导率的公式 ?= Aexp[-B/T]= a exp[-U/kT]， 也可以看出，电导率随活化能U按指数规律变化。活化能反映离子的固定程度，它与晶体结构有关。 熔点高的晶体，晶体结合力大，活化能也高，电导率就相对较低。 离子电荷的高低也有影响：一般地，低价离子比高价离子的活化能小,电导率大。 晶体结构的紧密程度的影响：结构越紧密，可供移动的间隙小，离子迁移活化能高。 影响离子电导率的因素 二、离子电导性 3、晶格缺陷 离子导电是可移动离子的定向迁移，是离子与周围缺陷交换位置的结果。根据离子电导率的公式 ?=nq? 可以看出，电导率与离子浓度成正比。离子性晶格缺陷的生成及其浓度是决定离子导电的关键。 晶格缺陷的生成与浓度的主要影响因素： [1] 温度：热激活生成晶格缺陷； [2]掺杂：不等价固溶掺杂形成晶格缺陷；AgBr中掺入CdBr 生成Ag空位 [3]偏离化学计量：如还原产生氧空位（缺陷），ZrO2中的氧空位 影响离子电导率的因素 * * * * * * * * 中南大学材料科学与工程学院 材料的电学性能 除结构陶瓷外，无机材料已广泛应用于电子技术、敏感技术、高温技术、能源技术、自动控制和信息处理等众多领域。 电导性质是无机材料应用非常重要的性质之一。根据电导性质的不同，材料被应用到不同领域。如电阻发热、热敏、压敏、光敏、气敏、快离子导电、超导等是制作类传感元器件的重要材料，它们与信息和微机等高技术发展密切相关，是功能材料的一个重要领域。 无机材料的电导性质 电导的物理现象 离子导电 电子导电 玻璃态导电 无机材料的电导 半导体陶瓷的物理效应 一.电导的宏观参数 长L，横截面S的均匀导电体， 两端加电压V 根据欧姆定律 （１.1） 在这样一个形状规则的均匀材料，电流是均匀的，电流密度J在各处是一样的，总电流强度 （１.2） 1.电导率和电阻率 * 为材料的电阻率，电阻率倒数为电导率，即 ，上式可写为 同样 电场强度也是均匀的 （１.3） 把（１.2）（１.3）代入（１.1）则： 除以S得： 导体中某点的电流密度正比于该点的电场，比例系数为电导率σ。 *