磁控溅射制取fe-zr-b-cu非晶合金薄膜的工艺及膜结构研究材料学专业论文 word格式.docxVIP

1.1.2 Fe-Zr-B-Cu 非晶合金薄膜的制备a. 常用的非晶合金薄膜的制备方法 几乎所有的现代薄膜材料制备都是在真空或是较低的气压下进行的，都涉及到气相的产生、输运以及反应的过程[叩]。对于非晶合金薄膜的制备，主要方法有物理气相沉积中的 蒸发法、溅射法，以及化学气相沉积中的热解法、还原法。由于 Fe-Zr-B-Cu非晶合金薄膜除了要求有良好的粘附性、稳定性以及可靠性外，还必须具有低的接触电阻、致密性、化学成分均匀性等等，因此，电子束蒸发沉积等传统的制膜技术己不再是制备非晶薄膜的理 想工艺，于是人们很快的注意到了磁控溅射技术。磁控溅射技术的出现的确很好地满足了 非晶膜的制备要求，大大地提高了器件的成品率，对降低器件成本起到了极大的重要作用[11] 。b.Fe-Zr-B-Cu 非晶合金薄膜的磁控溅射制取法上世纪 70 年代，在传统溅射的基础上人们发明了磁控溅射，这是溅射法的一个历史性的突破，在磁控溅射时，电子被磁场束缚在靠近靶材表面的环形闭合区域内沿着EXB 的方向运动，电场强度 E 存在于等离子体与阴极之间的区域内，磁场强度 B 是由安装在靶 材后的永磁体或电磁铁提供的 [12] 。通过对电场和磁场的合理排列，就可以在靶材表面附 近得到高密度的等离子体。同时，还可带来很多好处，比如，显著降低了等离子体的电阻 从而大幅度降低了溅射电压，同时显著的提高了阴极溅射的离子流密度使得在靶材与基体 距离 50mm 时溅射效率可以达到 1um/min[呵。而且，由于把等离子体很好的限制在一个很 小的区域内，所以，磁控溅射可在 0.1 到 1Pa 的气压下工作，远远低于真空二极管溅射所需的气压[14] 。怕图 1-1FJ520 型高真空磁控与离子束复合溅射设备示意图试验拟采用 FJ520 型高真空复合溅射设备，实现对 Fe-Zr-B-Cu 薄膜的制取。其系统示意图见图 1-1 ，主要由离子束溅射室、Kaufman 离子枪及电源、样品加热台、离子枪转 靶、泵抽系统、真空测量系统、气路系统、电控系统和微机控制镀层系统组成。该设备采 用单室立式结构，溅射室内采用多靶溅射结构，革巴在下，基片在上，向上溅射成膜，磁控 溅射室下底盘上有三个靶位(装二只磁控靶， CRF、DC 兼容)一只电磁靶)。靶直径 φ60mm ， 水冷，革巴与基片间距离为 40-80mm 连续可调。溅射室真空的获取是通过机械泵和分子泵的连续抽取实现的，可达极限真空度为 6.6X10-5Pa。在设走进气量恒定情况下，调节括板阀使溅射室真空度维持在 O.4-10Pa ，即可保证磁控靶正常电离起辉，此时在正负电极 问外加电压的作用下，电极间的气体原子将被大量电离。电离过程使 Ar 原子电离为 Ar+ 和 可以独立运动的电子，其中的电子会加速飞向阳极，而带正电荷的 Ar+ 则在电场作用下加 速飞向作为阴极的靶材，并在与靶材的撞击过程中释放相应的能量。离子高速撞击靶材的结果之一是使大量的靶材表面原子获得了相当高的能量，使其可以脱离靶材的束缚而飞向 衬底，实现溅射成膜。当然，在上述溅射的过程中，还伴随有其他粒子，包括二次电子等 从阴极的发射过程。如图 1-2 所示a.一直流气体放电体系模型10J -田骨u:f2:lOIb. 一气体放电伏安特性曲线图 1-2 直流气体放电体系模型及伏安特性曲线FJL520 型高真空复合溅射设备的磁控溅射源为一个圆柱型的磁控器，其结构如图 1-3所示，而溅射时革巴材表面的磁场及其电子运动轨迹则如图1-4 所示。即在靶材的部分表面上方磁场与电场方向相垂直，从而将电子的轨迹限制到靶面的附近，提高了电子碰撞和电离的效率，抑制衬底温度的升高。实际的操作是将永磁体或电磁线圈放置在革巴的后方，从 而造成磁力线先穿出靶面，然后变成与电场方向垂直，最终返回靶面的效果，如图1-4 中所示的磁力线的方向。阴圄于悻层醋塌E :X B于轨班J子罩峙丽图 1-3 圆柱型磁控溅射源的结构简图，且图 1-4 磁控溅射革巴材表面的磁场及电子的运动轨迹1.1.3 Fe-Zr-B-Cu 非晶合金薄膜的应用形式可以说，电子技术及其相关产业的需求是薄膜技术发展的最主要的推动力。不论是 传统的集成电路制造技术，还是近年来各种新型光电子器件的发展，都离不开薄膜科学技 术的不断进步和及时应用。目前 Fe-Zr-B-Cu 非晶合金薄膜的主要应用领域是:a. 薄膜磁传感器由磁控溅射法制取厚约 50nm 的 Fe-Zr-B-Cu 非晶合金薄膜，溅射沉积时膜面外力口数KA/m 直流磁场，产生单轴各向异性场 Hk=240-280A/m ，用光刻将膜制成10um 的条形，并2 Fe-Zr-B-Cu 非晶合金靶材的制备及其性能测试2.1 实验用材2.1.1 合金靶材成分设计本研究以