光纤通信第3章_光源和探测器200603.pptVIP

第三章、光源和探测器 半导体光电器件的原理 激光器LD和发光二极管LED 光电二极管PIN和雪崩光电二极管APD 1 半导体光电器件的物理基础 h? = E1-E2=Eg 思考题二 半导体激光器的产生激光的基本原理和条件？ 半导体激光器LD和发光二极管LED的结构及性能特点，并比较异同？ 描述LD和LED的调制特性，并说明提高调制速率的方法？ 单模半导体激光器的性能特点和典型结构。 简述VCSEL垂直腔面发光激光器的结构及其特点。 半导体光电探测器工作的基本原理？ PIN光电二极管和APD雪崩光电二极管的结构及性能特点，并比较异同？ PIN的响应度和量子效率的关系？接收带宽与哪些因素有关？ * * 图1、能级的三种跃迁 (a)受激吸收(b)自发辐射(c)受激辐射 1.1 发射和吸收速率 1.2 PN结的形成及其能带结构 1.3 载流子的复合发光效率与寿命 1.4 半导体材料 图2、半导体能带 图4、PN结的能带图 图3、PN结的结构 图5、PN结的反向和正向加电压的能带图 图6、双异质结的能带图 图7、双异质结的载流子限制效应和光波导效应 图8、半导体材料的带隙和晶格常数 图10、半导体材料的检测波长范围 图9、半导体材料的发光波长范围 2.1 LED的类型和结构 2.2 P-I特性曲线 2.3 光谱特性 2.4 响应速率和带宽 2 半导体发光二极管LED(Light E