干涉与绕射1目的观察光波之干涉与绕射现象并利用光电仪器.DOC

干涉與繞射實驗 目的 觀察光波之干涉與繞射現象，並利用光電儀器繪出雙狹縫干涉與單狹縫繞射總合圖像的亮度之分布圖。 原理 雙狹縫干涉 光形成干涉的條件有光源同調（相位差保持不變）光源具有相同波長重疊法適用。符合上述條件的二平行點光源與（距離為d，且強度各為）可視為雙狹縫，自各狹縫所發出的光經透鏡而聚集在距離L的幕上P點，其波程分別與，如圖一（a）所示，波程差－＝dsinθ。 圖一 通過雙狹縫的光波(a)干涉(b)亮度分布圖(c)實驗照相 因為各個光源與會在P點各自產生一個電場與，其相位差中與波程差－成正比，其關係式可推導成 ＝＝ 所以＝dsinθ。由電磁波之能量（亮度）與電場之關係又可導出αE。若取為參考相位（零相位），則與相位差為，即＝0且＝，如圖二所示在P點之合成電場為 圖二 兩波相遇P點的電場向量圖 而，亦即，兩相比較 ＝ 得到 ＝4 又因為yL，則Sinθθ，代入得＝d， ………………………………………………………(1) 由不同距離的y可求得任意點上光之亮度，光源各為的雙狹縫經干涉後在螢幕中點O的亮度為4（放大4倍）。若以y為橫軸(單位為)，縱軸（單位為），可繪出圖一(b)之亮度分布圖。 () 4 0 4 0 4 0 4 0 4 y -2 -1 0 1 2 而圖一（c）為實驗照相所得。另於式（1）與圖一（b）可推導出 ………………………………………………………………………（2） 當m=0，1，2…此時在P點二波峯與波峯相遇，互相加強形成相長干涉而為亮紋，當m=0時為中央亮紋，m=1時第1級亮紋，餘此類推。當m=，，…此時在P點兩波之波峯與波谷相遇，互相抵消形成相消干涉而為暗紋，當m=時為第1級暗紋，m=時為第2級暗紋，餘此類推。 單狹縫繞射 如圖三所示，亮度為，縫寬度為a之單狹縫，設分成N個單位，任意的單位間之距離為，每一單位可視為一個點光源，故任一單位在P點產生之電場的振幅為（因）。 圖三 通過單狹縫光波(a)繞射(b)亮度分布圖(c)實驗照相 而由雙狹縫干涉觀念與圖三得知，在幕上P點，任意兩個相臨單位間之波程差為sinθ，相差＝sinθ，若取起點處第一單位在P點電場相位為零，則各單位在P點所產生之電場為 0，＝，＝2，…，＝(n-1) ，合成電場為＝＋＋＋…＋，當N→∞時，→0，各單位所形成之電場振幅也趨向無限小，則合圍成一弧形，弧長，夾角sinθ，弦長A，而會形成半徑為R之圓形，如圖四所示。由幾何關係可導出 A＝2R Sin 圖四 單狹縫在P點產生電場的向量之相圖 則P點之合成電場為（當N＞＞1） 在P點之亮度為，與相比較 得到 ……………………………………………………（3） 由不同的距離y可求得任意點之單狹縫繞射之亮度。若以y為橫軸（單位為），為縱軸（單位為）可繪出圖三(b)之亮度分布圖。 0.016 0 0.045 0 0.045 1 0.045 0 0.045 0 0.016 -2 -1 0 1 2 由圖三(b)及式(3)可推導出 ………………………………………………………………(4) 當m=1，２，……..為暗區，當m=，，……為亮區。需注意的是ｍ= 0時在幕中央點O為亮區，且中央亮紋寬度為其他亮紋寬度的２倍。 　　(3)雙狹縫干涉與單狹縫繞射的總合圖像 因雙狹縫可視為2個寬度為a，亮度之狹縫所組成，故雙狹縫干涉必同時伴隨有單狹縫之繞射效果，由公式（１）與（３）得知，在Ｐ點之合成亮度為 而 ∴……………………………………(5) 實際觀察圖像為雙狹縫干涉與單狹縫繞射的混合。 方法 直徑0.7mm左右之雷射光束平行照射在a=0.04mm，d＝0.08mm之雙狹縫上，以滿足光源同調之條件。此平行光通過狹縫後，在距離約60cm的幕屏上，因干涉而產生之亮紋寬度約為3mm。現以光孔寬度為0.2mm之光纖（附BNC接頭）安裝在解晰度為0.1mm之光放大器上，每間隔0.2mm讀取各點之亮度，並將紀錄之亮度分佈資料繪在方格紙上，由各亮區（max）及暗區(min)之位置與各亮區光亮度之比例來驗證公式（1），（2），（3），（4），（5）。 儀器與安裝 儀器： (a)0.5mw He-Ne雷射(含平台) (b)1m長磁性光具座 (c)L型磁鐵架 (d)單狹縫片 (e)雙狹縫片 (f)光纖(含固定夾) (g)光放大器 (h)數位電錶 (i)壓克力幕屏 安裝 圖五 實驗安裝圖 步驟 調整雷射光束與磁性光具座： 將He-Ne雷射置於平台上與磁性光具座相距約50cm。 將光纖固定架之左右位置調至20mm處並置放於光具座最右端，光纖置入安裝孔內，其前端並與之互相切齊，光纖並與光放大器連接。 調整光具座螺旋位置，使雷射光平行於光具座並正射在光纖前端。 將壓克力幕屏放在L架