LED结构以GaN为例.pptVIP

改變技術方式使LED增加效率 碩研電子一甲 M9730102 李仁凱 大綱 前言 簡介 能帶圖 發光波長 轉換效率 結構 封裝 白光LED 結論 參考資料 前言 發光二極體 (Light Emitting Diode，簡寫為LED)是一種可將電能轉變為光能的半導體發光器件，屬於固態光源。 LED初期問世，當時的LED以紅色為主，發光效率很低，光通量很小，只能作指示燈和儀錶顯示器使用。 隨著材料、結構和封裝技術的不斷進步，發光效率大幅度提高，尤其是近年來高光效、高亮度的白光LED的開發成功，使得LED在照明領域的應用成為可能。現在人們普遍認為 LED將可望發展成第四代光源。 LED簡介 發光二極體是一種特殊的二極體。和普通的二極體一樣，發光二極體由P型及N型半導體晶片組成。 它所發出的光的波長，及其顏色，是由組成pn接面的半導體材料的能隙寬度所決定。 優點 發光效率高 使用壽命長 不易破損 可調整光之強弱 耗電量少 環保無汞 低電壓.安全性高 體積小 .可塑性強,可施工在任何造型上 光源具方向性 色域豐富(波長可控制) 缺點 散熱問題 ,不利於使用在高溫環境中 需再設計控制電路 目前成本較高(專利保護) 直接能隙 LED動作原理 零偏壓下 加上順向偏壓 LED I-V characteristic 發光波長 能隙決定發光波長 由材料的能隙可決定發光波長 λ(nm) = 光電轉換效率 內部量子效率(Internal Quantum Efficiency) 光取出率(Light Extraction Efficiency) 外部量子效率(External Quantum Efficiency) 發展高亮度LED相關技術就必須提高IQE跟LEE的 數值。 LED結構 應力的產生 材料之間因為晶格常數不同、所以在磊晶成長時會因晶格 的不匹配、造成dislocation。 造成內部量子效率降低。 增加漏電路徑。 LED結構(以GaN為例) 提升效率的方法 使用銦錫氧化物(Indium Tin Oxide; ITO)當電流傳輸層 採用覆晶結構(Flip-chip) 將光輸出表面粗操化 使用垂直電極(Vertical Electrode) 使用22°底切側壁 使用圖形化的藍寶石基板 使用電流阻擋層(Current Block Layer; CBL) 使用氧化鎳/銦錫氧化物歐姆接觸 在MQW與p-GaN層之間多做一層p-AlGaN 結構中每一層的作用 ITO ：使電流均勻分布。 n+-InGaN/GaN SPS：提供ITO與p-GaN之間形成良好 的毆姆接觸。 p-GaN：提供電洞。 InGaN/GaN MQW：使電子及電洞更容易侷限在一起 因而增加發光強度。 n-GaN：提供電子。 LT-GaN：降低Sapphire與n-GaN之間因晶格差異所產 生的應力。 MQW的作用 使用銦錫氧化物(ITO) ITO特性 ： 1.硬度高 2.有很高的電子傳導率 3.光學吸收係數低 基板種類 電流路徑 改善方式 MQW 為何選用ITO ITO(Indium Tin Oxide)的用途 主要用途為使電流均勻分布(電流散佈)。 ITO特性 ： 1.硬度高 2.有很高的電子傳導率 3.光學吸收係數低 在MQW與p-GaN層之間多做一層p-AlGaN 這一層的p-AlGaN為電子阻擋層，將未掉入的MQW的電子彈回井內，以增加光的效率。 I-V(電壓電流關係圖) L-I(電流與發光強度相對關係) EL強度圖 電流散佈 LED表面粗糙 封裝 反射杯 環氧樹脂 缺點 -耐熱性差 -易老化 -易受短波長(UV)光源影響 -散熱性不佳 改善方式 矽膠(silicone) -極優的高低溫穩定性。(-65℃~+232℃) -耐候性極佳。 -極優的黏著性。 -極佳的吸震及緩沖性。 -極優的介電特性。 -化學穩定性。 白光LED 製作白光LED的三種方式： 利用紅、綠、藍三種發光二極體調整其各別亮度來達到白光，亮度比為3：6：1。利用紅、綠或藍黃兩顆LED 調整其各別亮度來發出白光。但價格較貴。 利用藍光LED 去激發黃色的螢光粉。 利用紫外光的GaN 的LED 去激發紅、綠、藍三色螢光粉來產