电子电路与系统基础 I （清华大学）2011春季期末讲解.pdfVIP

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2018-05-13 发布于浙江
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电子电路与系统基础 I （清华大学）2011春季期末讲解.pdf

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《电子电路与系统基础I》春季学期期末考试试题春季学期期末考试试题魏琦魏琦伟清楼804 weiqi@tsinghua.edu.cn 11、填空题填空题（（4343分分）） a)填表列写填表列写NMOSFET三个工作区的伏安特性方程三个工作区的伏安特性方程，这里可这里可不考虑厄利电压的影响： 2 11、填空题填空题 b)已知某知某NMOSFET工作在恒流区作在恒流区，其栅源控其栅源控制电压为，漏极电流为，厄利电压为，则 2I D 0 恒流区跨导的表达式为（g m V V ），跨导 GS 0 TH V E rr 器输出电阻器输出电阻的表达式为的表达式为（（）。）。 dds I D 0 V 已知NMOSFET的阈值电压为。 TH 3 11、填空题填空题 C)双极型晶体管极型晶体管（BJT）名称中的名称中的双极极（Bippolar ）是什么含义？ BJT晶体管中导电的载流子有两种，空穴（（正正））和自由电子和自由电子（（负负）） 4 11、填空题填空题 I d) 已知知BJT基极输基极输入电流为电流为，则发射结交则发射结交 B 0 v