何惠玲《数字电路与逻辑设计》szdl 3 门电路.pptVIP

小结 学习和掌握集成逻辑门的分类 学习和理解逻辑门电路的电气特性，理解电气参数意义 学习和理解特殊门电路类型、功能及描述 了解各种TTL和CMOS门电路的基本构成和原理、电路特点、逻辑符号。 （重点了解：二极管与门、或门；三极管反相器；CMOS反相器；CMOS与非门、或非门；TTL反相器； TTL与非门、或非门等基本结构） 分析电路输入输出，计算 学习要点 小结 集成逻辑门的分类 两大类：TTL、CMOS （各种功能的门电路：与、或、非、与非、或非等） 特殊的门电路、功能及描述（逻辑符号、逻辑功能、表达式等） 三态门、OC门/OD门、传输门 电气特性（输入/输出、电压/电流）及主要参数 电压传输特性、输入特性、输入负载特性、输出特性 （TTL 与 CMOS 的同异） TTL门电路和CMOS门电路 逻辑功能与逻辑符号：相同 特点：TTL门电路 ——工作速度快、驱动能力强 CMOS门电路 ——功耗小、抗干扰能力强 计算及分析： 输入（高、低电平，R)——输出；N 0、R L、驱动匹配等 练习 分析如下TTL（74系列）电路，指出其输出状态 练习 分析如下CMOS（74HC系列）电路，指出其输出状态 其它 3.4 MOS门电路 电阻负载NMOS反相器 CMOS反相器及电气特性 其它的CMOS门电路 特殊的CMOS门电路 正确使用CMOS门电路 其它的有源负载MOS门电路 3.4 MOS门电路 电阻负载NMOS反相器 电路 NMOS管——驱动管 R L ——负载 分析 * 为使其输出低电平等于0V，负载电阻RD的阻值必须很大，使集成度下降，并影响C的充放电速度。改进——采取有源负载 * 负载能力强，功耗低，但工作速度较慢 * 当输入为高电平，Vi=10V VGS＞VTN，T管导通，输出 Vo电平为： * 当输入为低电平，Vi=0V VGS＜VTN，T管工作在截止区，输出Vo=VDD=10V 设: VDD=10V，NMOS管的开启电压 VTN = 4V，导通时漏电阻rDS=1KΩ 特点 MOS反相器的主要类型 电阻负载反相器 负载——电阻 驱动——MOS管 同型反相器 负载、驱动——同型MOS管 E/E MOS （增强型—增强型） E/D MOS （增强型—耗尽型） （N—NMOS、P—PMOS反相器） 互补对称型反相器 负载——PMOS管 驱动——NMOS管 （CMOS反相器） MOS反相器的主要类型 3.3.2 CMOS反相器 CMOS反相器及工作原理 电气特性 * 电压传输特性 * 电流传输特性 * 输入保护电路与输入特性 * 输出特性 例题(A) 3.3.2 CMOS反相器 CMOS反相器及工作原理 电路 组成： PMOS管——T1（驱动管） NMOS管——T2（负载管） VGS2 =0V ＜VTN，NMOS管截止，VGS1 =0-10V ＜ VTP，PMOS管导通，输出VO≈VDD=10V 输出高电平 VGS2 =10V ＞VTN，NMOS管导通， VGS1 =0V VTP，PMOS管截止，输出VO=0V 输出低电平 分析： 设 NMOS管的开启电压为VTN（＞0）;PMOS管的开启电压为VTP （＜0）, 且 VDD≥ VTN +|VTP| *当输入为低电平， VI=0V， *当输入为高电平， VI= VDD =10V， 特点 CMOS反相器_特点 分析归纳： 特点 * 电路由NMOS和PMOS构成互补MOS反相器 *当Vi =ViL，NMOS管截止，PMOS管导通，输出VO≈VDD =VOH *当Vi =ViH，NMOS管导通，PMOS管截止，输出VO=0V =VOL * PMOS管视为可变电阻，导通时R 很小，截止时R 很大 ——有源负载 * NMOS管和PMOS管总有一个处于截止状态 （VI =VIL NMOS管截止，VI =VIH PMOS管截止） 因此静态功耗小 CMOS反相器的电压传输特性 电压传输特性 输入低电平： Vi ＜ VTH Vi = ViL 输入高电平： Vi ＞ VTH Vi = ViH 阈值电压： V TH= 1/2 V DD （当TN、TP 参数完全对