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EMI-传导干扰(CONDUCTION)-Class A * EMI-传导干扰(CONDUCTION)-Class B * EMI-传导干扰(CONDUCTION)-干扰源 差模干扰 共模干扰 高频开关电流 高频电压降落VDM 寄生磁场 整流输出电路 变压器高频漏磁场 高频开关电压 寄生电容 变压器原,副边 MOS漏级到安全地 杂散电场 * EMI-传导干扰(CONDUCTION)-关键部件 1,EMI滤波网络 X电容 Y 电容 差模电感 共模电感 2,变压器 3,PCB布线 4,开关管 5,输入输出Y电容 6,电路结构 7,屏蔽体 * EMI-传导干扰(CONDUCTION)-实际电路 例如：手机充电器、小型电源适配器都没有地线接入 而且没有金属外壳 元器件都是低成本的 – 因此省掉了共模电感 注意：共模信号的路径如下图所示，C5是负载到地的寄生电容 这样，共模传导EMI的测试很大程度上决定于测试的设置情况。 * EMI-传导干扰(CONDUCTION)-客户端 差模干扰 共模干扰 高频开关电流 高频电压降落VDM 寄生磁场 大dI/dt dv/dt 高频漏磁场 高频开关电压 寄生电容 变压器原,副边 MOS漏级到安全地 杂散电场 整流输出电路 PCB 布线 输入输出线位置 客户整机结构 *与竞争对手产品在整机上没有可比性 * EMI-传导干扰(CONDUCTION)-客户端应对 1,EMI滤波网络 X电容 Y 电容 差模电感 共模电感 2,屏蔽体 3,PCB布线 4,客户端结构设计 5,输入输出线的位置 * EMI-辐射干扰(RADIATION)-概念 概念:干扰源通过空间把其信号耦合到另一个电网 络 EMI通过高频电磁场辐射由源传递至测量 设备 特点:频率段:30MHZ~1GHZ,辐射EMI与天线学科有 很大关联, 目的:测试产品对外界的干扰,并将这种交变的电 流电压干扰信号转化成直流幅值显示 * EMI-辐射干扰(RADIATION)-实验方法 * EMI-辐射干扰(RADIATION)-实验等级 传导干扰等级（10m的测量距离) Class A Class B 频率 30M~ 270KHZ 270K~ 1GHZ 30M~ 270KHZ 270K~ 1GHZ 限值 准峰值 40dB 47dB 30dB 37dB 3m与10m相差10.46vdb (L2=L1+20Lg(d1/d2)) EMC training (中文)-龚盛.ppt P100 分界点设置30M * EMI-辐射干扰(RADIATION)-Class A * EMI-辐射干扰(RADIATION)-Class B * EMI-辐射干扰(RADIATION)-干扰源 差模干扰 共模干扰 开关谐波 变压器原,副边 MOS漏级到安全地 寄生电感引起电流 寄生参数的谐振 EMC training (中文)-龚盛.ppt P94~98 * EMI-辐射干扰(RADIATION)-关键元件 1,EMI滤波网络 X电容 Y 电容 差模电感 共模电感 2,变压器 3,PCB布线 4,开关管 5,输入输出Y电容 6,电路结构 7,屏蔽体 8,磁珠 * EMI-辐射干扰(RADIATION)-客户端 差模干扰 共模干扰 开关谐波 不产生辐射干扰,干扰源相互抵消??? 变压器原,副边 MOS漏级到安全地 寄生电感引起电流 寄生参数的谐振 输入输出线位置 PCB 布线 客户整机结构 天线,孔缝 * EMI-辐射干扰(RADIATION)-客户端应对 1,EMI滤波网络 X电容 Y 电容 差模电感 共模电感 2,屏蔽体 3,PCB布线 4,客户端结构设计 * EMS-浪涌(SURGE)-概念 概念:输入或输出端口施加不同极性,不同相位的 瞬态电压,电流或功率波 特点:上升时间快,下降时间慢，瞬态高电压,大电 流,高能量 目的:模拟由开关或雷电瞬变过电压引起的单级性 浪涌(冲击)时产品的抗干扰能力 GBT 17626.5-2008 电磁兼容 试验和测量技术 浪涌(冲击)抗扰度试验.pdf P8-9 * EMS-浪涌(SURGE)-实验方法 * EMS-浪涌(SURGE)-实验等级 开路电压与短路电流等级 等级 开路电压 短路电流 L-N 电压峰值/KV L/N-FG 电压峰值/KV L-N 电流峰值/KA L/N-FG 电流峰值/KA 1 NA 0.5 0.25 2 0.5 1 0.5 3 1 2 1 4 2 4 2 1.2/50US组合波(电源) 1.2/50US电压浪涌 8/20US 电流浪涌 10/700US 通信线信号端