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2012年国科会光电学门整合型计划成果简报
2012年國科會光電學門整合型
計劃成果簡報
報告者:成功大學張守進教授
內容大綱
三年期整合型計劃
• 總計劃:在不同基板成長非極性氮化鎵光電元件
研究 計劃主持人:成功大學張守進教授( )
– 子計劃一:以圖案化鋁酸鋰基板成長非極性氮
化鎵系列光電元件計劃主持人:成功大學張守(
進教授)
– 子計劃三:奈米圖案化R面氧化鋁基板成長低
缺陷密度之非極性氮化鎵系列之光電元件計劃(
主持人:成功大學賴韋志副教授)
– 子計劃四:以鋁酸鋰基板成長非極性氮化物材
料及發光元件計劃主持人:交通大學郭政煌教(
授)
– 子計劃五:高極化敏感度及高效率之氮化鎵系
列紫外光偵測器的研製與其特性分析計劃主持(
人:南台科技大學李明倫教授)
Polarization field in nitride-based heterostructure
P e ε + e (ε + ε )
PE 33 Z 31 x y
C − C C a − a
O 13 o
−2
C C a
33 o
a − a C
P 2 o (ε − ε 13 )
PE 31 33
a C
o 33
Polarization field in GaN-based heterojunction
asymmetry strain
Ga-face surface
CB VB Spontaneous and piezoelectric
polarization cause:
+
e- h 1. band bending
2. charge separation in QW
Non-polar
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