微波技术基础第4次课教程.pptxVIP

微波技术基础;第4课;回顾一下;2.1 同轴线;同轴线中的TEM波;或者由麦克斯韦方程（1.2-10）得到： 同理 于是用 去推导全部场解 横向分量有： ;首先分析 的存在性;根据以上分析，在同轴线中，传播的TEM仅有，Er和Hψ分量。 且 直接求解矢量亥姆赫兹方程很困难，一般需要预先知道场分量的存在和形式。;变矢量坐标系求导要注意！！;;在圆柱坐标系下，标位Φ 满足二维拉普拉斯方程： 同轴线因结构具有圆对称性，故位函数Φ不随坐标 变化 上式简化为 ;同轴线的边界条件可表为 因此，可求得 场的横向分布矢量函数为： ;直接用矢量亥姆赫兹方程求解与用位函数求解的复杂程度差别巨大，但结论一致！！;沿±z方向传播波（无耗时）的电磁场可写为 式中：;同轴线场结构和表面电流分布;由;同轴线场结构和表面电流分布;;同轴线场结构和表面电流分布;同轴线上的电压波、电流波及特性阻抗同轴线传输TEM波时具有单值电压、电流特性： 单值电压波表达式 ，在内导体上任一点A与外导体上任一点B之间的电压为 ;单值电流波表达式（环绕导体的线积分则应为导体上的总电流 ）;定义同轴线的特性阻抗为 ;同轴线的传输功率、能量与衰减 同轴线的传输功率为;同轴线中的电场表达式为 最大电场应在内导体表面处 当 （击穿场强）时