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模拟电子技术基础 1.3 二极管的应用电路 二极管电路分析举例 4. 激光二极管 激光二极管是在发光二极管的PN结间安置一层具有光活体性的半导体，构成一个光谐振腔。工作时加正向电压。 定性分析：判断二极管的工作状态 导通截止 否则，正向管压降 硅0.7V 锗0.3V 分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位的高低或所加电压UD的正负。 若 V阳 V阴或 UD为正，二极管导通（正向偏置） 若 V阳 V阴或 UD为负，二极管截止（反向偏置） 反向截止时二极管相当于断开。 若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零， * 第二讲 1.2 半导体二极管 1.2.1 半导体二极管的结构类型 1.2.2 半导体二极管的伏安特性曲线 1.2.3 半导体二极管的参数 1.2.4 半导体二极管的温度特性 1.2.5 半导体二极管的型号 1.2.6 稳压二极管 1.2.1 半导体二极管的结构类型 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。它们的结构示意图如图01.11所示。 (1) 点接触型二极管 PN结面积小，结电容小， 用于检波和变频等高频电路。 (a)点接触型 图 01.11 二极管的结构示意图 (3) 平面型二极管 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，用 于工频大电流整流电路。 (b)面接触型 二极管符号 图 01.11 二极管的结构示意图 (c)平面型 往往用于集成电路制造工 艺中。PN 结面积可大可小， 用于高频整流和开关电路中。 1.2.2 半导体二极管的伏安特性曲线 式中IS 为反向饱和电流，V 为二极管两端的电压降 半导体二极管的伏安特性曲线如图 01.12 所示。处于第一象限的是正向伏安特性曲线，处于第三象限的是反向伏安特性曲线。根据理论推导，二极管的伏安特性曲线可用下式表示: (1.1) 二极管实际上就是PN结，其特性就是PN结的单向导电性。 图 01.12 二极管的伏安特性曲线 图示 硅二极管的正向导通压降V=0.7 V左右， 锗二极管的正向导通压降V=0.3 V左右。 (1) 正向特性 硅二极管的死区电压Vth=0.5 V左右， 锗二极管的死区电压Vth=0.1 V左右。 当0＜V＜Vth时，正向电流为零，Vth称为死区电压或开启电压。 当V＞0即处于正向特性区域。正向区又分为两段： 当V＞Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。 当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压 。 (2) 反向特性 当V＜0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域： 当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。二极管处于截止状态。 电击穿：击穿是可逆的； 热击穿：击穿是不可逆的。 在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。 硅二极管的反向击穿特性曲线比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性曲线过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。 说明：二极管发生反向击穿时，只要反向电流和反向电压的乘积不超过PN结允许的最大耗散功率，二极管一般不会被损坏。 1.2.3 半导体二极管的温度特性 温度对二极管的性能有较大的影响，温度升高时，反向电流将呈指数规律增加，如硅二极管温度每增加8℃，反向电流将约增加一倍；锗二极管温度每增加12℃，反向电流大约增加一倍。 另外，温度升高时，二极管的正向压降将减小，每增加1℃，正向压降VF(VD)大约减小2mV，即具有负的温度系数。这些可以从图01.13所示二极管的伏安特性曲线上看出。 图 01.13 温度对二极管伏安特性曲线的影响 1.2.4 半导体二极管的参数 半导体二极管的参数包括最大整流电流IF、反向击穿电压VBR、最高反向工作电压VRM、反向电流IR、最高工作频率fmax和结电容Cj等。几个主要的参数介绍如下： (1) 最大整流电流IF—— 二极管长期连续工 作时，允许通过二 极管的最大整流 电流的平均值。 (2) 反向击穿电压VBR—— 和最高反向工作电压VRM 二极管反向电流 急剧增加时对应的反向 电压值称为反向击穿 电压VBR。 为安全计，在实际 工作时，最高反向工作电压 VRM一般只按反向击穿电压 VBR的一半计算。 (3) 反向饱和电流IR (4) 正向压降VF (5) 动态电阻rd