实验二-SRAM 静态随机存储器实验.docVIP

《计算机组成原理》 实 验 报 告 实验二：SRAM 静态随机存储器实验 实 验 二 一、 实验名称：SRAM 静态随机存储器实验 二、 实验目的： 掌握静态随机存储器RAM工作特性及数据的读写方法。 三、 实验内容： 1、 向存储器中指定的地址单元输入数据,地址先输入AR寄存器，在地址灯上显示;再将数据 送入总线后，存到指定的存储单元，数据在数据显示灯显示。 2、从存储器中指定的地址单元读出数据, 地址先输入AR寄存器,在地址灯显示; 读出的数据送入 总线, 通过数据显示灯显示。 四、 实验设备： PC机一台，TD-CMA实验系统一套。 五、 实验步骤： 1、 关闭实验系统电源，按图2-4 连接实验电路，并检查无误，图中将用户需要连接的信号用圆圈标明。 2、 将时序与操作台单元的开关KK1、KK3 置为运行档、开关KK2 置为‘单步’档。 3、 将CON 单元的IOR 开关置为1（使IN 单元无输出），打开电源开关，如果听到有‘嘀’报警声，说明有总线竞争现象，应立即关闭电源，重新检查接线，直到错误排除。 图2-4 4、 给存储器的00H、01H、02H、03H、04H 地址单元中分别写入数据11H、12H、13H、14H、15H。 由前面的存储器实验原理图（图2-1-3）可以看出，由于数据和地址由同一个数据开关给出，因此数据和地址要分时写入，先写地址，具体操作步骤为：先关掉存储器的读写（WR=0，RD=0），数据开关输出地址（IOR=0），然后打开地址寄存器门控信号（LDAR=1），按动ST 产生T3 脉冲，即将地址打入到AR 中。再写数据，具体操作步骤为：先关掉存储器的读写（WR=0，RD=0）和地址寄存器门控信号（LDAR=0），数据开关输出要写入的数据，打开输入三态门（IOR=0），然后使存储器处于写状态（WR=1，RD=0，IOM=0），按动ST 产生T3脉冲，即将数据打入到存储器中。写存储器的流程如图2-5 所示（以向00 地址单元写入11H为例）： 图2-5 5、 依次读出第00、01、02、03、04 号单元中的内容，观察上述各单元中的内容是否与前面写 入的一致。同写操作类似，也要先给出地址，然后进行读，地址的给出和前面一样，而在进行读操作时，应先关闭IN 单元的输出（IOR=1），然后使存储器处于读状态（WR=0，RD=1，IOM=0），此时数据总线上的数即为从存储器当前地址中读出的数据内容。读存储器的流程如图2-6 所示（以从00 地址单元读出11H 为例）： 图2-6 如果实验箱和 PC 联机操作，则可通过软件中的数据通路图来观测实验结果（软件使用说明请看附录1），方法是：打开软件，选择联机软件的“【实验】—【存储器实验】”，打开存储器实验的数据通路图，如图2-7 所示。 进行上面的手动操作，每按动一次ST 按钮，数据通路图会有数据的流动，反映当前存储器所做的操作（即使是对存储器进行读，也应按动一次ST 按钮，数据通路图才会有数据流动），或在软件中选择“【调试】—【单周期】”，其作用相当于将时序单元的状态开关置为‘单步’档后按动了一次ST 按钮，数据通路图也会反映当前存储器所做的操作，借助于数据通路图，仔细分析SRAM 的读写过程。 图2-7 六、 实验结果 整个实验记录的实验结果如下： 七、 分析讨论 1、在读出数据完成时应先关闭RD按钮然后再关闭IOR按钮，否则就会产生“滴”的声音。 2、在插线的过程中注意不要把两头的线插错位或插反了，否则会影响试验结果。 3、可以不依次序输出存储单元的内容。 4、数据通路图会有数据的流动反映当前存储器所做的操作。即使是对存储器进行读，也应按动一 次ST按钮，数据通路图才会有数据的流动。 5、将CON单元的IOR开关置为“1”后再打开电源开关，如果听到有“嘀”报警声，应立即关闭电源，重新检查接线，直到错误排除。 八、 心得体会 通过这次实验，较好的掌握了静态存储器的工作特性及使用方法。掌握了半导体随机存储器如何存储数据及读出数据。从此次实验中懂得了在实验接线时要细心。在操作过程中，若出现问题应能在最短时间内检查出问题，从而使实验过程更顺利。