静态存储器实验的报告.docVIP

计算机组成原理实验报告 姓 名 XXX 学 号 XXXXXXXXXXX 班 级 11级非师范计科 实 验合作者 XXX XXX 实验序 号 02 实验时 间 2013.10.18 主 讲老 师 XXX 指 导老 师 XXX 实 验 心 得 通过指导老师的向导与实验合作者初次学习使用静态存储器以及初次学习共同连线，并且比较成功地按实验步骤去做，最后成功的显示了正确的结果，对静态存储器的组成结构和运行原理有了一个初步的认识。 学生签名 XXX 实验目的： 掌握静态随机存储器 RAM 工作特性及数据的读写方法。 实验设备： PC 机一台，TD-CMA 实验系统一套。 实验原理： 由一片6116（2K x 8）芯片、一片8位锁存器（74LS273）、一片8位三态门（74LS245）构成存储器原理图。 存储器实验原理图 存储器数据线接至数据总线，数据总线上接有8 个LED 灯显 示D7…D0 的内容。地址线接至地址总线，地址总线上接有8 个LED 灯显示A7…A0 的内容，地址由地址锁存器（74LS273，位于PCAR 单元）给出。数据开关（位于IN 单元）经一个三态门（74LS245）连至数据总线，分时给出地址和数据。地址寄存器为8 位，接入6116 的地址A7…A0，6116 的高三位地址A10…A8 接地，所以其实际容量为256 字节。6116 有三个控制线：CE（片选线）、OE（读线）、WE（写线）。当片选有效（CE=0）时，OE=0 时进行读操作，WE=0 时进行写操作。本实验中将OE 常接地,在此情况下，当CE=0、WE=0 时进行读操作，CE=0、WE=1 时进行写操作，其写时间与T3 脉冲宽度一致。 实验箱中所有单元的时序都连接至时序与操作台单元，CLR 都连接至CON 单元的CLR 按钮。实验时T3 由时序单元给出，其余信号由CON 单元的二进制开关模拟给出，其中IOM 应为低（即MEM 操作），RD、WR 高有效，MR 和MW 低有效，LDAR 高有效。 实验步骤： (1) 关闭实验系统电源，按如图连接实验电路，并检查无误，图中将用户需要连接的信号用圆圈标明。 实验接线图 (2) 将时序与操作台单元的开关KK1、KK3 置为运行档、开关KK2 置为‘单步’档（时序单元的介绍见附录二）。 (3) 将CON 单元的IOR 开关置为1（使IN 单元无输出），打开电源开关，如果听到有‘嘀’报警声，说明有总线竞争现象，应立即关闭电源，重新检查接线，直到错误排除。 (4) 写存储器 给存储器的00H、01H、02H、03H、04H 地址单元中分别写入数据11H、12H、13H、14H、15H。由前面的存储器实验原理图可以看出，由于数据和地址由同一个数据开关给出，因此数据和地址要分时写入，先写地址，具体操作步骤为：先关掉存储器的读写（WR=0，RD=0），数据开关输出地址（IOR=0），然后打开地址寄存器门控信号（LDAR=1）， 按动ST 产生T3 脉冲，即将地址打入到AR 中。再写数据，具体操作步骤为：先关掉存储器的读写（WR=0，RD=0）和地址寄存器门控信号（LDAR=0），数据开关输出要写入的数据，打开输入三态门（IOR=0），然后使存储器处于写状态（WR=1，RD=0，IOM=0），按动ST 产生T3 脉冲，即将数据打入到存储器中。 写存储器的流程如图所示（以向00 地址单元写入11H为例）： 写存储器流程图 (5) 读存储器 依次读出第00、01、02、03、04 号单元中的内容，观察上述各单元中的内容是否与前面写入的一致。同写操作类似，也要先给出地址，然后进行读，地址的给出和前面一样，而在进行读操作时，应先关闭IN 单元的输出（IOR=1），然后使存储器处于读状态（WR=0，RD=1，IOM=0），此时数据总线上的数即为从存储器当前地址中读出的数据内容。 读存储器的流程如图所示（以从00 地址单元读出11H 为例）： 读存储器流程图 实验结果： 最后实验结果与实验操作理论上完全一致。下面：以从00 地址单元写11H 、读11H为例，说明实验结果的准确性。如图所示： 写入11H的结果流程图 读出11H的结果流程图 计算机组成原理实验报告 1