化学气相淀积讲义.pptVIP

表明吸附 正硅酸四乙脂应用 6.2.3 PECVD (等离子增强CVD) 图6.5给出了PECVD设备示意图，结构形式为RF电容耦合型： 反应剂入口 到真空泵 气流 喷头 下极板 硅片 上级板 等离子体区 RF电源 图6.5 6.2.4 几种CVD方法的比较 （a）APCVD—质量输运控制淀积速率 优点：它是较早使用的CVD系统，在大气压下淀积操作简单，淀积速率高。 缺点：台阶覆盖性差，均匀性差，易发生气相反应，产生微粒污染。 (b)LPCVD—表面反应速度控制淀积速率 优点：低压降低了气相成核，减少了微粒污染，台阶覆盖性和均匀性比较好。低压下，气体扩散速率高。 缺点：存在气缺现象（气体反应剂 被消耗后补充慢而造成反应剂浓度改变的现象），要特殊设计入射喷口，多头气体入口。淀积速率比较低，要求淀积温度比较高，另外设备上要增加真空泵系统。 (c) PECVD 表面反应速度控制淀积速率 利用RF等离子体激活和维持化学反应，受激发的分子可以在低温下发生化学反应，因此PECVD的优点是淀积温度低于APCVD和LPCVD方法，淀积速率比较高。 表6.1常用几种薄膜的CVD淀积 淀积薄膜 淀积方法 反应剂 温度℃ 薄膜用途 Poly-Si LPCVD SiH4 580～650 栅电极， 连线 Si3N4 LPCVD SiH4+NH3 700～900 介质层， 钝化膜 Si3N4 PECVD SiH4+NH3 200～350 介质层， 钝化膜 接上表 SiO2 APCVD SiH4+O2 300～500 钝化膜 SiO2 APCVD SiH4+O2+PH3 300～500 PSG 钝化膜 SiO2 APCVD SiH4+O2+PH3 +B2H6 300～500 BPSG 钝化膜 6.3 Poly-Si的CVD淀积 6.3.1 Poly-Si在集成电路中的应用 (a)作硅栅MOS电路中的栅电极材料 (b)掺杂后的Poly-Si ，薄层电阻可降至Rs=20～40Ω/口，可用于连线 (c)双层的Poly-Si，中间夹SiO2或Si3H4介质层可构成电容的两个板极，制成双多晶硅电容。 (d)未夹杂的Poly-Si可制成多晶硅电阻， Rs=2～3kΩ/口,另外，在浅结BJT可用作Poly-Si发射区，防止穿刺，在槽隔离中用作填充物等等。 6.3.2 化学气相淀积Poly-Si的化学反应 SiH4(吸附)==SiH2(吸附)+H2(气) SiH2(吸附)==Si(固)+H2(气) 总反应： SiH4(吸附)==Si(固)+2H2(气) 6.4 SiO2的CVD淀积 6.4.1 CVD淀积SiO2在集成电路中的应用 (a)作绝缘层Poly-Si/ SiO2 /Metal, Metal/ SiO2 /Metal2 (b)作选择扩散，离子注入的掩蔽膜 (c)作器件表面的钝化层 6.4.2 CVD淀积SiO2的化学反应 SiH4 (气)+O2(气)→ SiO2(固)+ 2H2(气) 6.5 Si3H4的CVD淀积 6.5.1 Si3H4在集成电路中的应用 (a)集成电路表面的最终钝化层，抗Na+，水汽玷污。 (b)集成电路中电容元件的介质层，Metal/ Si3H4/N+电容 (c) Si3H4膜有很强的掩蔽能力，氧很难透过Si3H4 ，Si3H4可用作局部氧化(场区氧化)的掩蔽层，在它的掩蔽下，有源区(器件区)不被氧化。 6.5.2 CVD淀积Si3H4的化学反应 PECVD SiH4(气)+NH3(气)→SixNyHz(固)+H2(气) 6.6 金属及金属硅化物的CVD淀积 在集成电路中，钨(W)用于小尺寸通孔(Via)的金属填充物，而WSi2可用于多层栅结构中，称为Polycide(多晶硅/难熔金属硅化物)栅。它们也可用CVD法制作。 台阶覆盖 阿尔茨海默症防治相关知识埃及的金字塔有建造方法动画艾司洛尔在神经外科重症中的应用二级二班防溺水等安全教育 阿尔茨海默症防治相关知识埃及的金字塔有建造方法动画艾司洛尔在神经外科重症中的应用二级二班防溺水等安全教育 阿尔茨海默症防治相关知识埃及的金字塔有建造方法动画艾司洛尔在神经外科重症中的应用二级二班防溺水等安全教育 第六章 化学气相淀积(CVD) 引言： 在集成电路的制造中，还需要制作特殊要求的薄膜，例如：多晶硅(Poly-Si)用于硅栅CMOS电路作为MOS管的栅电极，由于它可实现自对准以及作为栅极连线而被受注意。低温淀积SiO2，用于钝化器件表面免受物理及化学损伤。低温淀积Si3N4，用于MOS电容器的绝缘层，既很致密又很薄。 同时Si3N