半导体器件讲义.ppt

小结： （1）JFET是利用uGS 所产生的电场变化来改变沟道电阻的大小，即利用电场效应控制沟道中流通的电流大小。 （2）场效应管为一个电压控制型的器件。 （3）在N沟道JFET中，VP为负值。 在P沟道JFET中，VP为正值。 例 在图示电路中，已知场效应管的 ；问在下列三种情况下，管子分别工作在那个区？ (a) uGS=-8V, uDS=4V, (b) uGS=-3V, uDS=4V, (c) uGS=-3V, uDS=1V, 解（a）因为uGSVP , 管子工作在截止区。 G D S VDD ＋ iG RD VGG iD － ＋ － uDS ＋ － uGS RG uDG G D S （b）因为uDG= uDS –uGS= 7V uDG∣VP ∣ 管子工作在放大区 （c）因为uDG= uDS –uGS= 4V uDG∣VP ∣ 管子工作在可变电阻区 结型场效应管的缺点： 1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在某些场合仍嫌不够高。 3. 栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。 绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。 2. 在高温下，PN结的反向电流增大，栅源极间的电阻会显著下降。 绝缘栅型场效应管MOSFET( Metal Oxide Semiconductor FET)。分为 增强型 ? N沟道、P沟道?uGS=0时iD=0 耗尽型 ? N沟道、P沟道 ?uGS=0时iD=0 1-5-2 绝缘栅场效应管（MOS) 一 N沟道增强型MOSFET 结构 : G S D N沟道增强型 P N N G S D ＋ ＋ G S D P 沟道增强型 N P P G S D ＋ ＋ 扩散电容示意图 P区 §1-3 晶体二极管 PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。 引线 外壳线 触丝线 基片 点接触型 PN结 面接触型 P N 二极管的电路符号： 半导体二极管图片 1-3-1 伏安特性 U I 导通压降: 硅管0.6~0.8V,锗管0.1~0.3V。 反向击穿电压UB 二极管特性曲线 Vr U I VB 理想二极管特性曲线 RL ui uo 二极管的应用 二极管半波整流 ui uo t t 发光二极管 有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似。 基本结构 PNP型 §1.4 晶体三极管 NPN型 B E C N N+ P 基极 发射极 集电极 发射结 集电结 参杂浓度低、面积大 较薄、中参杂浓度 参杂浓度高、面积较集电区小 集电极 发射极 P N P+ 基极 B C E B B E C B E C 1-4-1 三极管工作原理 载流子传输过程 一、载流子的传输过程 1、发射区向基区注入电子 2、电子在基区扩散与复合 3、集电极收集电子 从外部看: VCC VEE RC E C B IBN N N+ P IEN IEP ICN ICBO IC IE IB RE ① ② ③ ④ ⑤ 二、共基极的电流分配关系 共基极直流电流传输系数： 一般 因此 IE可控，受控于正偏的发射结； 共基极电流传输方程 改变正偏电压时，和正偏电压有关的电流都会成比例的增加； BJT的控制作用： 总结： （1） BJT的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。保证传输过程需要内部条件和外部条件。 （2） BJT内各个电流之间有确定的分配关系，所以，只要输入电流（IE）给定，输出电流和电压便基本确定。输入信号首先通过发射结的电压变化改变输入电流（IE） ，再利用（IE）的变化去控制（IC）。 共射极的电流分配关系 VCC VEE E C B IBN N N+ P IEN IEP ICN ICBO IC IE IB ① ② ③ ④ ⑤ 共射放大器 ＋ IB＋△ IB △Ui VCC RC VEE △Uo IC＋△ IC － 因为 可以得到： 四、共射接法的电流分配及放大作用 共射放大器 ＋ IB＋△ IB △Ui VCC RC VEE △Uo IC＋△ IC － 一、共射输入特性 UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.6 0.8 UCE=0V UCE =0.5V 1.4.3三极管的伏安特性曲线 1、UCE=0: 发射结集电结都正偏 2、 UCE=0~0.6V: 发射结正偏、集电结正偏电压逐渐减小 3、 UCE1V: 发 射结正偏、集电结正偏 共射放大器 Uo VCC ＋ IB RC VEE IC － ＋ － UCE ＋ － UBE 二、共射输出特性 uCE(V) 3 6 9 12 iC(mA ) 1