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单片微机的基本结构课件

片外数据存储器是在外部存放数据的区域。(扩展I/O口被看做片外RAM的一个单元) 地址范围:最大64KB. 寻址方式:只能用寄存器间接寻址的方法访问,所 用的寄存器为DPTR、R1或R0。 使用指令:指令助记符为MOVX。 控制引脚:P3口 2.4.3 片外数据存储区 2.5 并行输入/输出端口 80C51共有4个 8位的并行双向口,计有32根输入/输出(I/O)口线。 各口的每一位均由锁存器、输出驱动器和输入缓冲器所组成。 由于它们在结构上的一些差异,故各口的性质和功能也就有了差异。它们之间的异同列于表2-5。 2.5.1 P0口 ?8位口,字节访问地址为80H,位访问地址为80H~87H。 功能:作普通I/0口使用,是一个准双向口; 访问存储器时作数据/低8位地址复用总线, 是一个真正的双向口。 ⒈ 位结构  P0口位结构原理图见图2-11。?  组成:锁存器、缓冲器、控制电路、输出驱动器 ⒉ P0口的功能 ⑴ 作I/O口使用 相当于一个准双向口:输出锁存、输入缓冲,但输入时需先将口置1;每根口线可以独立定义为输入或输出。 ※与其它口的区别是: 输出时为漏极开路输出,与NMOS的电路或拉流负载接口时必须要用电阻上拉,才能有高电平输出; 输入时为悬浮状态,为一个高阻抗的输入口。 ⑵ 作地址/数据复用总线用 此时P0口为一个真正的双向口。但是有上拉电阻,作数据输入时,口也不是悬浮状态。 作地址/数据复用总线用。 作数据总线用时,输入/输出8位数据D0~D7; 作地址总线用时,输出低8位地址A0~A7。当P0口作地址/数据复用总线用之后,就再也不能作I/O口使用了。 ? 8位口,字节访问地址为90H, 位访问地址为90H~97H。 功能:一般用作I/O口使用. ⒈ 位结构和工作原理 P1口的位结构如图2-12所示。 ? 组成: 输出锁存器 输入缓冲器BUF1(读引脚)、BUF2(读锁存器) 由 FET晶体管 Q0与上拉电阻组成的输出/ 输 入驱动器。 2.5.2 P1口 ⒉ P1口的特点 ??????输出锁存器,输出时没有条件; ??? 输入缓冲,输入时有条件,即需要先将该口设为输入状态,先输出1; ?? 工作过程中无高阻悬浮状态,也就是该口不是输入态就是输出态。 具有这种特性的口不属于“真正”的双向口,而被称为“准”双向口。 3. P1口的操作 1)P1口既可以字节操作,也可以按位操作.按字节   操作时指令同时对P1口的8个位起作用,按位操  作时只对指定的位起作用. 2)P1口在做输入使用时,分两种情况:   读引脚:必须用指令先向端口输出1,再输入.   读锁存器:对应读-修改-写指令. ? 多功能的8位口,字节访问地址为A0H,位访问地址为A0H~A7H。 ?⒈ P2口位结构和工作原理 ? P2口位结构原理图示于图2-13。  组成:锁存器     缓冲器     输出控制电路     输出驱动器  2.5.3 P2口 ⒉ ? P2口的功能 ⑴ 作I/O口使用时,P2口为一准双向口。 ⑵ 作地址输出时,P2口可以输出程序存储器或片外数据存储器的高8位地址,与P0输出的低地址一起构成16位地址线,从而可分别寻址64KB的程序存储器或片外数据存储器。地址线是8位一起自动输出的。 2.5.4 P3口 多功能的8位口,字节访问地址为B0H,位访问地址为B0H~B7H。 ⒈ 位结构与工作原理 P3口的位结构原理如图2-14所示。 组成:锁存器    缓冲器    第二功能输入缓冲器    输出驱动器 ⒉ P3口的功能 ⑴可作I/O口使用(B=1),为准双向口。 既可以字节操作,也可以位操作;既可以8位口操作,也可以逐位定义口线为输入线或输出线;既可以读引脚,也可以读锁存器,实现“读一修改一输出”操作。 ⑵ 可以作为替代功能的 输入(B=1,C=1)、 输出(C=1,B输出) 替代输入功能: P3.0: RXD,串行输入口。 P3.2:INT0,外部中断0的请求。 P3.3:INT1,外部中断1的请求。 P3.4:T0,T0外部计数脉冲输入。 P3.5:T1,T1外部计数脉冲输入。 替代输出功能: P3.l:TXD,串行输出口。 P3.6:WR外部数据存储器或I/O端口写选通。 P3.7:RD 外部数据存储器或I/O端口读选通。 综上所述:当P0

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