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第1章篇 半导体材料科学和集成电路,固体晶格结构.ppt
* §1.7 半导体单晶材料的生长 硅单晶材料可以说是目前纯度最高的一种材料， 其纯度已达到百亿分之一。生长半导体单晶材料的方法主要有以下几种： 1. 熔体生长法：又称为切克劳斯基（Czochralski）生长方法，或CZ法。籽晶直拉法。悬浮区融法FZ：进一步采用区熔再结晶方法提纯 2. 外延生长法 * 籽晶直拉法示意图 2002：300 mm 2012: 450mm 直径以每9年增大1.5倍的速度大型化 * 分凝系数（segregation coefficient）： 对于固相-液相的界面，由于杂质在不同相中的溶解度不一样，所以杂质在界面两边材料中分布的浓度是不同的，这就是所谓杂质的分凝现象。 “分凝系数”= (杂质在固相中的溶解度)/(杂质在液相中的溶解度)。 区域提纯法提纯材料 * 实际拉制出的12英寸硅单晶锭 该硅单晶锭长1米，直径300毫米，重量达140千克 * 将硅单晶锭切割成硅晶园片的切片机 * 工作人员利 用卡塞(Cassette） 装载的300毫米硅 晶园片 * 2. 外延层生长法： 外延生长方法按照材料的类型可分为以下两大类： （1）同质外延（homoepitaxy）； （2）异质外延（heteroepitaxy）； 常用的外延方法有： （1）化学气相淀积法（CVD）：也称为气相外延法（VPE） SiCl4+2H2→Si+4HCl （2）液相外延法（LPE）： 温度低于CZ法，常用于化合物半导体材料的外延。 （3）分子束外延法（MBE）： 高真空，400至800℃，可精确控制。 * 气相外延法（VPE）示意图 A susceptor is a material used for its ability to absorb electromagnetic energy and convert it to heat . * 分子束外延（MBE）设备原理示意图 * 第1 章 固体晶格结构 §1.1 半导体材料 典型半导体及分类 §1.2 固体类型 三种固体形态 §1.3 晶体的空间点阵结构 晶体学基本概念和基本晶格结构 金刚石结构和闪锌矿结构 米勒指数 §1.4 倒格子 （阅读内容） §1.5 晶体中原子之间的价键 离子、原子、金属及分子晶体 §1.6 晶体中的缺陷与杂质 缺陷类型和杂质类型 §1.7 半导体单晶材料的生长 单晶材料及外延生长 §1.8 小结 * 2011072032 刘智超 男 应用物理学(2011) 2013072012 郭舒婷 女 应用物理学(2013) 2013072032 戚李娟 女 应用物理学(2013) 2013072042 阎道磊 男 应用物理学(2013) 2013401115 童树铭 男 应用物理学(2013) 2014073001 庄素娜 女 光电信息科学与工程(2014) 2014073002 谢皓 男 光电信息科学与工程(2014) 2014073003 朱婷玉 女 光电信息科学与工程(2014) 2014073004 龙浩毅 男 光电信息科学与工程(2014) 2014073005 吴紫君 女 光电信息科学与工程(2014) 2014073006 陆泽华 男 光电信息科学与工程(2014) 2014073008 陈思仪 女 光电信息科学与工程(2014) 2014073009 邱辉燕 女 光电信息科学与工程(2014) 2014073010 陈泽佳 男 光电信息科学与工程(2014) 2014073012 张雪虹 女 光电信息科学与工程(2014) 2014073013 麦晓文 女 光电信息科学与工程(2014 * 014073014 何强枝 男 光电信息科学与工程(2014) 2014073016 岑颖欣 女 光电信息科学与工程(2014) 2014073018 梁宇航 男 光电信息科学与工程(2014) 2014073020 邓秋蓉 女 光电信息科学与工程(2014) 2014073021 蔡华志 男 光电信息科学与工程(2014) 2014073022 李广业 男 光电信息科学与工程(2014) 2014073023 温俊鹏 男 光电信息科学与工程(2014) 2014073024 唐林 男 光电信息科学与工程(2014) 2014073025 阮爵梅 女 光电信息科学与工程(2014) 2014073026 陈兢 男 光电信息科学与工程(2014) 2014073029 罗紫茵 女 光电信息科学与工程(2014) 2014073031 莫汉斌 男 光电信息科学与工程(2014) 2014073032 蔡文娴 女 光电信息科学与工程(2014) 2014
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