常用半导体器件讲义.pptVIP

;;现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。;通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。;硅和锗的共价键结构;共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。;本征半导体的导电机理;+4;本征半导体的导电机理; 半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。比如：热敏性、光敏性、掺杂性。;1.1.3 杂质半导体;N型半导体;+4;N型半导体;P型半导体;+4;总 结;杂质半导体的示意表示法;一. PN 结的形成;P型半导体;扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区越宽,内电场越强。;漂移运动;1、空间电荷区中没有载流子。; 二. PN结的单向导电性;PN结正向偏置;PN结反向偏置;三. PN结的伏安特性;PN结的反向击穿特性;四. PN结的电容效应; (a) 势垒电容CB;(b) 扩散电容CD;CB在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时，载流子很少，扩散电容可忽略。;半导体二极管图片;{end}; 1.2.1 半导体二极管的结构;(3) 平面型二极管; 1.2.2 二极管的伏安特性;伏安特性; 1.2.3 二极管的主要参数;(4) 最高工作频率 fM;1.2.4 二极管的等效电路; 1. 理想模型; 应用举例——补充;例: 一限幅电路如图所示， , (1)当 时，用三种模型分别求输出电压 的值：（2）当 时，画出输出电压 的波形（用理想模型）。;——小信号模型;1.2.5 稳压二极管;(1) 稳定电压VZ;(4) 动态电阻rZ;稳压二极管应用;光电二极管;发光二极管;例 已知发光二极管导通电压UD=1.6V，正向电流为5~20mA时发光。求可使发光二极管发光时的电阻R的取值范围。;作业：; 半导体三极管的结构示意图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。 两种类型的三极管; 1.3.1 结构特点：;三极管的两种基本结构;B;B;B;1. 内部载流子的传输过程;内部载流子的运动;B;3. 三极管的三种组态; 综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是： （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。;RL;+;IC;vCE = 0V;饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏。;IC(mA );IC(mA );输出特性——线性放大;1.3.4 晶体管的主要参数;?A; (2) 集电极发射极间的反向穿透电流ICEO ICEO=（1+ ）ICBO ;1、 共发射极交流电流放大系数? ? =?IC/?IB?vCE=const; 当ICBO和ICEO很小时， ≈?、 ≈?，可以不加区分。 这种近似是产生计算误差的根源，当设计精密放大器时注意修正。;3;2、 集电极最大 允许电流ICM;3、 反向击穿电压; 由PCM、 ICM和V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区。 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区; ICBO受温度影响很大，当温度上升时，ICBO增加很快（1倍/10°C），所以IC也相应增加。当三极管参数随温度变化较大时称其特性较差。;IB(?A);温度对UBE的影响（负温度系数）;三、温度升高使输出特性曲线上移;温度对?值及ICEO的影响;作业;场效应管与双极型晶体管导电机理不同，它是完全多子导电，所以又称为单极型晶体管。 它是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流来实现放大作用的半导体器件。 输入阻抗高，噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省。 ;N沟道; 源极，用S或s表示;N;N;P;2. 工作原理;P;UDS较小时;P;P;P;;;二、 JFET的特性曲线;输出特性曲线;2. 转移特性 ;UGS;# JFET有正常放大作用时，沟道处于什么状态？;结构、分类和电路符号 （补充）;P;N沟道耗尽型;N;P沟道耗尽型;一、N沟道增强型MOS管;P;2、特性曲线与电流方程;输出特性曲线;P;P;P;P