霍耳效应试验学习目标建议学时2学时原理.PDFVIP

霍耳效应试验学习目标建议学时2学时原理.PDF

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
霍耳效应试验学习目标建议学时2学时原理

实验5 霍耳效应实验 学习目标 1. 了解霍耳效应的原理 2. 测试霍尔系数确定样品的导电类型和载流子浓度; 建议学时:2 学时 原理 1.霍耳效应 图1 测定磁场的原理图 将一块金属或半导体薄片放在垂直于它的磁场里(如图1所示,感磁应强度B 的方向沿 Z 轴正方向,薄片在x-y 面内),当工作电流I 沿x 轴正方向(1,2 方向)通过薄片,薄片内 H 定向移动的载流子受洛仑兹力f 的作用而偏转(设载流电子是正电荷,在f 的作用下向负y B B 方向偏转),结果使正负电荷分别在3 、4 两个侧面积聚。此时3、4 两个侧面而形成附加静 电场,产生稳定的电势差,这种电势差就称为“霍耳电势差”U 。这个现象被称为“霍耳效 H 应”。霍尔电场与电流密度和磁场强度有关,满足 IB EH RH JB UH RH (1) d RH 称为霍耳系数。霍尔电场又给载流子一个与f B方向相反的电场力f E,稳态时, f B f E qvB qEH (2) J 再利用 v ,得到: pq JB EH (3) pq p 为p 型半导体空穴浓度。将(3)式代人(1)式,得p 型半导体的霍耳系数 R =1/pq (4) H J 同理,利用v  可得n 型半导体的霍耳系数: nq R = -1/nq (5) H 它表示该材料产生霍耳效应本领的大小。因此,可由霍耳系数的符号判别半导体的导电类型, 由大小确定载流子浓度。 由于半导体中载流子的浓度比金属小,为获得较大的霍耳电压,故实用的霍耳元件常 用半导体材料制成。d 是该材料沿磁场方向的厚度,显然,d 越小(常约为0.2 mm)霍耳电压 越大。把尺寸很小的霍耳片近似看成一个几何点,利用它可以测量任何磁场中磁感应强度在 空间的分布。 实用中(1)式常写成: UH=K IH B (6) R H 式中 K= ,称为霍耳片的灵敏度,它随元件的材料,尺寸的不同而不同,通常希望K 越 d 大越好。对于具体的霍耳元件,K 是一个常数,单位为mV·mA-1·T-1,其数值厂家在元件所附 的参数表中给出。式中工作电流IH 的单位用mA,霍耳电压UH 的单位用mV,B 的单位用T 。 如已知霍耳片的灵敏度K,用仪器分别测出电压I

文档评论(0)

sunshaoying + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档