第3讲_调制及电光调制.pptVIP

利用泡克耳斯效应实现电光调制可以分为两种情况。一种是施加在晶体上的电场在空间上基本是均匀的．但在时间上是变化的．当一束光通过晶体之后，可以使一个随时间变化的电信号转换成光信号，由光波的强度或相位变化来体现要传递的信息，这种情况主要应用于光通信、光开关等领域。另一种是施加在晶体上的电场在空间上有一定的分布，形成电场图像，即随x和y坐标变化的强度透过率或相位分布，但在时间上不变或者缓慢变化，从而对通过的光波进行调制，这种情况称为空间光调制器。本节讨论前一种情况的电光强度调制。 3.2.2 电光强度调制 1. 纵向电光调制（通光方向与电场方向一致） 电光晶体(KDP)置于两个成正交的偏振器之间，其中起偏器P1的偏振方向平行于电光晶体的x轴，检偏器P2的偏振方向平行于y轴，当沿晶体z轴方向加电场后，它们将旋转45o变为感应主轴x’,y’。因此，沿z轴入射的光束经起偏器变为平行于x轴的线偏振光，进入晶体后(z=0)被分解为沿x’和y’方向的两个分量，两个振幅(等于入射光振幅的1/ ）和相位都相等．分别为： 下图是一个纵向电光强度调制的典型结构。 当光通过长度为L的晶体后，由于电光效应，E x’和E y’二分量间就产生了一个相位差 ，则 由于光强正比于电场的平方，因此，入射光强度为 那么，通过检偏器后的总电场强度是E x’(L)和E y’（L）在y方向的投影之和，即 y Y’ x X’ 45o 45o 与之相应的输出光强为： 注意公式： 将出射光强与入射光强相比得： Vπ和Vλ/2 是一回事。 其中的T称为调制器的透过率。根据上述关系可以画出光强调制特性曲线,如图所示。由图可见，在一般情况下,调制器的输出特性与外加电压的关系是非线性的。 若调制器工作在非线性部分,则调制光将发生畸变。为了获得线性调制，可以通过引入一个固定的 ／2相位延迟，使调制器的电压偏置在T＝50％的工作点上。常用的办法有两种： 式中，△?m = ?Vm/V? 是相应于外加调制信号最大电压vm的相位延迟。其中Vm sinωmt 是外加调制信号电压。 其一，在调制晶体上除了施加信号电压之外，再附加一个 Vλ/4 的固定偏压，但此法会增加电路的复杂性，而且工作点的稳定性也差。其二，在调制器的光路上插入一个1／4波片其快慢轴与晶体主轴x成45o 角，从而使E x’和E y’二分量间产生 ?/2 的固定相位差。于是，总相位差 因此，调制的透过率可表示为 利用贝塞尔函数恒等式将上式展开，得 由此可见，输出的调制光中含有高次诣波分量，使调制光发生畸变。为了获得线性调制，必须将高次谐波控制在允许的范围内。 计算表明，若取 则三次谐波光强为基波的5% 因此取 作为线性调制的判据 由此也可得出以上同样的结论。所以为了获得线性调制，要求调制信号不宜过大(小信号调制)，那么输出的光强调制波就是调制信号V=Vm sinωmt 的线性复现。如果△?m 1rad的条件不能满足(大信号调制)，则光强调制波就要发生畸变。 以上讨论的纵向电光调制器具有结构简单、工作稳定、不存在自然双折射的影响等优点。其缺点是半波电压太高，特别在调制频率较高时，功率损耗比较大。 2．横向电光调制（通光方向与电场方向垂直） 由物理光学，横向电光效应可以分为三种不同的运用方式： (1)沿z轴方向加电场，通光方向垂直于z轴，并与x或y 轴成45o夹角(晶体为45o-z切割)。 (2)沿x方向加电场(即电场方向垂直于z轴)，通光方向 垂直于x轴，并与z轴成45o 夹角(晶体为45o -x切割)。 (3)沿y轴方向加电场，通光方向垂直于y轴，并与z轴成 45o夹角(晶体为45o -y切割）。 以下仅以KDP类晶体为代表讲述第一种运用方式。 强度调制器小结： 入射光分解为感