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HBT Epi Wafers Manufacturing Technology Using MOCVD 林素玲 高平磊晶科技股份有限公司 Kopin Taiwan Corporation Feb. 24, 2006 大綱 Outline 高平磊晶科技 (Kopin Taiwan Corporation)簡介 金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)磊晶技術 MOCVD生產設備 砷化鎵異質雙載子電晶體磊晶片結構 GaAs Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) Epi Wafer Structures LED應用原理及製程簡介 Summary 高平磊晶科技 Kopin Taiwan Corporation 高平磊晶科技股份有限公司簡介 Brief of Kopin Taiwan Corporation 公司成立: 民國90年2月7日 實收資本額: 新台幣10億元整 主要股東: Kopin Corporation ，台揚科技，國外砷化鎵 IDM 客戶及國內砷化鎵 Foundry 廠商 產品名稱 砷化鎵(GaAs)異質雙載子電晶體(Heterojunction Bipolar Transistor, HBT)磊晶片 4吋及6吋 AlGaAs/GaAs及InGaP/GaAs HBT 產品用途 HBT積體電路元件應用於下一代3G通訊