薄膜材料与薄膜技术第三章薄膜的物理制备方法溅射.pptVIP

溅射原子与气体原子的碰撞导致溅射原子的散射（方向及能量无序），到达基片的几率随极板间距增加降低。一般要确保薄膜的均匀性，极板间距是克鲁克暗区的两倍，阴极平面面积为基片面积的两倍。 低压溅射：降低污染，提高溅射原子的平均能量；需额外的电子源；外加磁场或高频放电提高离化率。 直流三极溅射 可以在低压强（0.13Pa）下运行，但放电过程难控制，重复性差 等离子体的密度可通过改变电子发射电流和加速电压来控制。离子对靶材轰击能量可通过靶电压加以控制。从而解决了二极溅射中靶电压、靶电流及气压之间相互约束的矛盾。 优点：装置简单，容易控制，制膜重复性好（P，U，I）。 缺点：1) 工作气压高(10~2 Torr)，扩散泵不起作用； 2) 沉积速率低； 3) 基片升温高； 4) 只能用金属靶(正离子累积)； 直流溅射 2. 射频溅射 1）射频频率：13.56 MHz； 2）电子作振荡运动，延长了路径，不再需要高压； 3）射频溅射可制备绝缘介质薄膜； 4）射频溅射的负偏压作用，使之类似直流溅射。 1) 磁控溅射的原理和装置 3. 磁控溅射 不同磁场方向的效应 磁控溅射中电子运动示意图 各种不同的磁控溅射装置 2) 磁控溅射的特点： A 二次电子以园滚线的形式在靶上循环运动，路程足够长，电子使原子电离的机会增加。 B 提高了电离效率，工作气压可降低到10-3?10-4 Torr，减少了工作气体与溅射原子的散射作用，提高了沉积速率。 C 高密度等离子体被电磁场束缚在靶面附近，不与基片接触。这样，电离产生的正离子能有效地轰击靶面；基片又免受等离子体地轰击，制膜过程中温升较小。 有效地解决了直流溅射中基片温升高和溅射速率低两大难题 不同溅射方法靶电压和靶电流密度的比较 存在的问题： 不能实现强磁性材料的低温高速溅射 用绝缘材料的靶会使基板温度上升 靶子的利用率低(10%-30%)，靶表面不均匀溅射 反应性磁控溅射中的电弧问题 膜的均匀性 靶的非均匀腐蚀及内应力 颗粒（重溅射） 非平衡磁控靶示意图 磁力线延伸到衬底，对衬底进行适当溅射 在溅射气体中加入少量的反应性气体如N2,O2, 烷类等，使反应气体与靶材原子一起在衬底上沉积，对一些不易找到块材制成靶材的材料，或在溅射过程中薄膜成分容易偏离靶材原成分的，都可利用此方法。 反应气体：如 O2, N2, NH3, CH4, H2S 氧化物，如 Al2O3, SiO2, In2O3, SnO2 碳化物，如 SiC, WC, TiC, DLC 氮化物，如 TiN, AlN, Si3N4 硫化物，如 CdS, ZnS, CuS 4.反应性气体溅射 反应也可能在靶上或基板上进行=靶中毒。 化合物的溅射产率约为纯金属的10%~20% 等离子体中的化学反应： 活性高，如Ar+反应活性类似于Cl原子 反应速率： E -A: 输入气体只能满足反应要求； A- B: 输入气体过量，使靶中毒； B- C: 线性关系(C-D)； D- E: 输入气体不能满足反应要求，气相中的气体被消耗。 Ti靶；靶电压415~430V；靶-基片距离13 cm；溅射气体N2/Ar或N2；总压强0.47 Pa；沉积率~1mm/h * * 薄膜材料与薄膜技术 第二章 薄膜的物理制备方法（2） 溅射、离子镀、离子助 一. 溅射技术 1. 溅射沉积原理 2. 合金及化合物的溅射 3. 溅射装置 二、离子镀 三. 离子束增强沉积 本章主要内容 薄膜的物理制备技术 直流溅射 射频溅射 磁控溅射 离子束溅射 真空 蒸发 溅射 沉积 离子镀 物理气相沉积 （PVD） 电阻加热 感应加热 电子束加热 激光加热 直流二极型离子镀 射频放电离子镀 等离子体离子镀 定义：溅射是离子轰击物质表面，并在碰撞过程中发生动能与动量的转移，从而将物质表面原子激发出来的过程。1852年发现，1920年Langmuir首次用于沉积薄膜。 一、溅射技术 溅射一般是在辉光放电过程中产生的，辉光放电是溅射技术的基础。 辉光放电：真空度为10-1~10-2 Torr，两电极间加高压， 产 生辉光放电。 辉光放电的电流电压之间不是线性关系，不服从欧姆定律。 1、等离子体和辉光放电 直流辉光放电伏安特性曲线 暗光放电 汤逊放电 过渡区 正常放电 弧光放电 A-B: 电流小，主要是游离状态的电子，离子导电；电子－原子碰撞为弹性碰撞； B-C: 增加电压，粒子能量增加，达到电离所需能量；碰撞产生更多的带电粒子；电源的输出阻抗限制电压。 非自持放电 C-D: 起辉（