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逻辑函数化简的技巧 对较为复杂的逻辑函数，可将函数分解成多个部分，先将每个部分分别填入各自的卡诺图中，然后通过卡诺图对应方格的运算，求出函数的卡诺图。 对卡诺图进行化简。 带输出使能(Enable)端的优先编码器: 输出使能端: 用于判别电路是否有信号输入. 优先: 对输入信号按轻重缓急排序,当有多个信号同时 输入时,只对优先权高的一个信号进行编码. 下面把上例4线—2线编码器改成带输出使能(Enable)端的 优先编码器,假设输入信号优先级的次序为:X3,X2,X1,X0. X3 X2 X1 X0 A1 A0 E0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 1 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 0 1 1 0 0 0 1 1 0 1 0 0 0 1 1 1 1 0 0 1 0 0 0 1 1 0 1 0 0 1 1 1 0 1 0 1 0 1 1 0 1 0 1 1 1 1 0 1 1 0 0 1 1 0 1 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 1 1 0 1 1 1 1 1 1 0 X3X2 X1X0 00 01 11 10 00 01 11 10 1 1 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 A1=X2+X3 X3X2 X1X0 00 01 11 10 00 01 11 10 1 0 0 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 0 1 A0=X3+X2X1 EO=X3X2X1X0= X3+X2+X1+X0 ≥1 ≥1 ≥1 X2 X1 X3 X2 X0 A0 A1 EO 编码器 电路图 4.2.2 二－十进制编码器 输入: I0 ,I1 ,I2 … …I9,表示十个要求编码的信号. 输出: BCD码. 电路有十根输入线,四根输出线,常称为10线—4线编码器 RC IC Rb IB Vi Vo Vcc 三极管开关电路 (1) 饱和导通条件及饱和时的特点 饱和导通条件: IB≥IBS= ICS β ≈ VCC βRC 饱和导通时的特点: VBE≈0.7V VCE=VCES=0.1~0.3V 发射极和集电极之间如同闭合的开关 2.1.2 半导体三极管的开关特性 (2) 截止条件及截止时的特点 截止条件: VBE0.5V (硅三极管发射结导通电压) 截止时的特点: 发射结和集电结均为反向偏置,IB≈IC≈0, 发射极和集电极之间如同断开的开关。 + _ + _ 0.7V 0.1~0.3V b c e 饱和时 e c b 截止时 三极管开关的近 似直流等效电路 (3) 开关时间 开启时间ton : 三极管由截止到饱和所需要的时间, 纳秒(ns)级。 关断时间toff : 三极管饱和由到截止所需要的时间, 纳秒(ns)级, toff ton 。 toff的大小与工作时三极管饱和导通的深度有关,饱和程度越深, toff 越长,反之则越短。 2.1.3 MOS管的开关特性 G S D RD VCC MOS管的三个工作区： 截止区；非饱和区；饱和区。 MOS管作开关使用时，通常工作在截止区和非饱和区。 数字集成电路中常用的MOS管为P沟道增强型和N沟道增强型。 NMOS 管开关 电路 (1) 导通条件及导通时的特点(以NMOS管为例) 导通条件: VGS VTN (VTN为NMOS管的开启电压) 导通时的特点: 在开关电路中,MOS管导通时一般工作在非饱和区,这时要求VGS VTN +VDS ,导通电阻RDS为几百欧姆。 (2) 截止条件及截止时的特点 截止条件: VGS VTN 截止时的特点: 漏—源之间没有形成导电沟道,呈高阻状态,阻值一般为109~1010Ω,MOS管截止。