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§4.1 晶体管的基本结构和杂质分布 当uGS＞0V时→纵向电场 →将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。 ②转移特性曲线： iD=f(uGS)?uDS=const 2.N沟道耗尽型MOSFET 特点： 当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有iD。 当uGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。 当uGS＜0时，沟道变窄，iD减小。 半导体器件物理 第四章 MOS场效应晶体管 根据工作原理，晶体管可以分为两大类：一类就是第3章中讨论过的双极型晶体管，另一类就是本章将讨论的MOS场效应晶体管。在双极型晶体管中，参加工作的不仅有少数载流子，也有多数载流子，故统称为双极型晶体管。 场效应管(Field Effect Transistor简称FET)是一种电压控制器件(uGS~ iD) ，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。 FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。 FET分类： 绝缘栅场效应管 结型场效应管 耗尽型 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 增强型 N沟道 一. 绝缘栅场效应管 绝缘栅型场效应管 ( Metal Oxide Semiconductor FET)，简称MOSFET。分为： 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道 1.N沟道增强型MOS管 （1）结构 4个电极：漏极D， 源极S，栅极G和 衬底B。 符号： 晶体管MOS场效应晶体管管芯的基本结构参数有沟道长度(即漏和源两个冶金结之间的距离 L)、沟道宽度W、栅绝缘层厚度tox、漏区和源区的扩散结深Xj、衬底掺杂浓度NA等。从版 图结构看，实际的MOS场效应晶体管图形结构多种多样，它们有环形结构、条状结构和梳 状结构等。 （2）工作原理 当uGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的 二极管，在d、s之间加上电压也不会形成电流，即管子截止。 再增加uGS→纵向电场↑ →将P区少子电子聚集到 P区表面→形成导电沟道，如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流id。 ①栅源电压uGS的控制作用 定义： 开启电压（ UT）——刚刚产生沟道所需的 栅源电压UGS。 N沟道增强型MOS管的基本特性： uGS ＜ UT，管子截止， uGS ＞UT，管子导通。 uGS 越大，沟道越宽，在相同的漏源电压uDS作用下，漏极电流ID越大。 输出特性 可根据输出特性曲线作出移特性曲线。 例：作uDS=10V的一条转移特性曲线： UT 一个重要参数——跨导gm： gm=?iD/?uGS? uDS=const (单位mS) gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。 在转移特性曲线上， gm为的曲线的斜率。 在输出特性曲线上也可求出gm。 在栅极下方的SiO2层中掺入了大量的金属正离子。所以当uGS=0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。 定义： 夹断电压（ UP）——沟道刚刚消失所需的栅源电压uGS。 半导体器件物理 第四章 MOS场效应晶体管