模拟电子技术 04第四章、场效应管放大电路.ppt

第四章：场效应管放大电路 基本要求 熟练掌握：共源、共漏组态放大电路工作原理；静态工作点；用小信号模型分析增益、输入、输出电阻　 重点：各种场效应管的工作原理 难点：场效应管的小信号模型； 4.1结型场效应管 　　结型场效应管有N沟道和P沟道两种。 　　一、特性曲线 　　（1）输出特性曲线 　　从输出特性曲线上很明显的得出：场效应管是电压控制型器件，栅源间电压ｖGS控制漏极电流ｉD。 　　（2）转移特性曲线 　　可直接从输出特性曲线上用作图法求出。 当漏源间短路，栅源间外加负向电压ＶGS时，结型场效应管中的两个PN结均处反偏状态。随着ＶGS负向增大，加在PN结上的反向偏置电压增大，则耗尽层加宽。由于N沟道掺杂浓度较低，故耗尽层主要集中在沟道一侧。耗尽层加宽，使得沟道变窄，沟道电阻增大，如图（b）所示。 　　当ＶGS负向增大到某一值后，结两侧的耗尽层向内扩展到彼此相遇，沟道被完全夹断，此时漏源间的电阻将趋于无穷大，如图（c）所示。相应于此时的漏源间电压ＶGS称为夹断电压，用ＶGS(off)（或ＶP）表示。　　观看动画 由于导电沟道存在电阻，ＩD流经沟道产生压降，使得沟道中各点的电位不再相等，于是沟道中各点与栅极间的电压不再相等，也就是加在PN结两端的反向偏置电压不再相等，近源端PN结上的反向电压最小，近漏端的反向电压最大，结果使耗尽区从漏极到源极逐渐变窄，导电沟道从等宽到不等宽，呈楔形分布，如图（a）所示。 　　随着ＶDS的增大，ＩD增大，沟道不等宽的现象变得明显，当ＶDS增大到某一值时，近漏端的两个耗尽区相遇，这种情况称为预夹断，如图（b）所示。 　　继续增大ＶDS，夹断点将向源极方向延伸，近漏端出现夹断区，如图（c）所示。 由于栅极到夹断点A之间的反向电压ＶGA不变，恒为ＶP，因此夹断点到源极之间的电压也就恒为ＶGS-ＶP，而ＶDS的增加部分将全部加在漏极与夹断点之间的夹断区上，形成较强的电场。在这种情况下，从漏极向夹断点行进的多子自由电子，一旦到达夹断点就会被夹断区的电场漂移到漏极，形成漏极电流。 　　一般情况下，夹断区仅占沟道长度的很小部分，因此ＶDS的增大而引起夹断点的移动可忽略，夹断点到源极间的沟道长度可以认为近似不变，同时，夹断点到源极间的电压又为一定值，所以可近似认为ＩD是不随ＶDS而变化的恒值。　　观看动画 二、主要参数 　　夹断电压、饱和漏极电流、低频跨导、输出电阻、最大耗散功率 4.2绝缘栅型场效应管 　　由于栅极与源极、漏极之间是相互绝缘的，故称为绝缘栅场效应管。 一、MOS管的分类 　　根据MOS管所用半导体材料的差异，MOS场效应管分为P沟道和N沟道两大类。由于采用的工艺不同，每种材料做的MOS管又分为增强型和耗尽型两种。 二、MOS管的开关作用 　　MOS管作为开关元件，它工作在截止或导通状态。由于MOS管是电压控制型器件，所以由ｖGS决定其工作状态。 3．MOSFET的工作原理（以N沟道增强型器件为例） 　　MOS管是指由金属（Metal）、氧化物（Oxide）、半导体（Semiconductor）三种材料构成的三层器件。 （1）栅源间电压ＶGS对ＩD的控制 　　当栅源间无外加电压时，由于漏源间不存在导电沟道，所以无论在漏源间加上何种极性的电压，都不会产生漏极电流。 　　正常工作时，栅源间必须外加电压以使导电沟道产生，导电沟道产生过程如下： ①当在栅源间外加正向电压ＶGS时，外加的正向电压在栅极和衬底之间的ＳiＯ2绝缘层中产生了由栅极指向称底的电场，由于绝缘层很薄（0.1um左右），因此数伏电压就能产生很强的电场。该强电场会使靠近ＳiＯ2一侧P型硅中的多子（空穴）受到排斥而向体内运动，从而在表面留下不能移动的负离子，形成耗尽层。耗尽层与金属栅极构成类似的平板电容器。 ②随着正向电压ＶGS的增大，耗尽层也随着加宽，但对于P型半导体中的少子（电子），此时则受到电场力的吸引。当ＶGS增大到某一值时，这些电子被吸引到P型半导体表面，使耗尽层与绝缘层之间形成一个N型薄层，鉴于这个N型薄层是由P型半导体转换而来的，故将它称为反型层。 　　反型层与漏源间的两个N型区相连，成为漏源间的导电沟道。这时，如果在漏源间加上电压，就会有漏极电流产生。人们将开始形成反型层所需的ＶGS值称为开启电压，用ＶGS(on)（或ＶT）表示。 ③显然，栅源电压ＶGS越大，作用于半导体表面的电场越强，被吸引到反型层中的电子愈多，沟道愈厚，相应的沟道电阻就愈小。　　 （2）漏源电压ＶDS对沟道的影响 　　ＩD流经沟道产生压降，使得栅极与沟道中各点的电位不再相等，也就是加在“平板电容器”上的电压将沿着沟道产生变化，导电沟道从等宽到不等宽，呈楔形分布。 　　余下情况的分析与JFET类似。 　　场效应管和半导体三极管一样能实现信号