ZrCl4分子层在羟化硅表面消去氯原子反应机理的理论分析研究推荐.docVIP

PAGE PAGE 1 河南科技学院新科学院 2012届本科毕业论文 论文题目： ZrCl4分子层在羟化硅表面消去氯原子反应机理的理论研究（第2，3个氯原子） 学生姓名： 李 杰 所在院（系）： 化学工程系 所学专业： 化学工程与工艺 导师姓名： 姚树文 完成时间： 2012年5月 ZrCl4分子层在羟化硅表面消去氯原子反应机理的理论研究 （第2,3个氯原子） 摘要 使用密度函数理论研究了ZrCl4分子在羟化硅表面ALD的薄层中释放Cl原子的反应机理，对于脱去四个氯原子中第2，3个氯原子，设计了四条反应途径。结果表明，在0K时一个标准大气压下：R3a是一个放热反应，R3b是一个吸热反应，R3a的能垒比R3b低，因此我们得出一个结论R3a比R3b反应有利。R5a,R5b分别是接着R3a,R3b的水解反应产物，可以发现R5b相对于R5a有较低的活化能和反应热，因此我们认为R5b比R5a反应有利。 关键词：密度函数理论，ZrCl4，薄膜，原子层沉积 A density functional theory study on the reactions of chlorine loss in ZrCl4thin films by atomic-layer deposition (t