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( C ) 高純度的半導體材料形成P型半導體是加入何種雜質(A) 氮 (B) 磷 (C) 硼 ( ) 高純度的半導體材料形成N型半導體是加入何種雜質(A) 氮 (B) 鋁 (C) 硼 ( A ) 高純度的半導體材料形成N型半導體是加入何種雜質(A) 氮 (B) 鋁 (C) 硼 ( ) 太陽能電池的發電效果和其面積成正比(A) True, (B) False, (C) Not certain. ( A ) 太陽能電池的發電效果和其面積成正比(A) True, (B) False, (C) Not certain. ( ) 太陽能電池的發電機制，當太陽光照射晶片時，往P型區移動的為(A) 空孔 (B) 電子 (C) 中子 ( A ) 太陽能電池的發電機制，當太陽光照射晶片時，往P型區移動的為(A) 空孔 (B) 電子 (C) 中子 ( ) 太陽能電池的發電機制，當太陽光照射晶片時，往N型區移動的為(A) 空孔 (B) 電子 (C) 中子 ( B ) 太陽能電池的發電機制，當太陽光照射晶片時，往N型區移動的為(A) 空孔 (B) 電子 (C) 中子 ( ) 太陽能電池的發電機制，當晶片受光後負電子從Ｎ區負電極流出(A) 正電 (B) 負電 (C) 不帶電 ( B ) 太陽能電池的發電機制，當晶片受光後負電子從Ｎ區負電極流出(A) 正電 (B) 負電 (C) 不帶電 ( ) 太陽能電池的發電機制，當晶片受光後負電子從P區負電極流出(A) 正電 (B) 負電 (C) 不帶電 ( A ) 太陽能電池的發電機制，當晶片受光後負電子從P區負電極流出(A) 正電 (B) 負電 (C) 不帶電 ( ) CIGS為一種極具潛力的太陽能電池吸收層材料。具有那些優點（A）低成本（B）高光吸收係數 （C）皆具有 ( C ) CIGS為一種極具潛力的太陽能電池吸收層材料。具有那些優點（A）低成本（B）高光吸收係數 （C）皆具有 ( ) CIGS為何種結構（A）黃銅礦結構（chalcopyrite）（B）六方晶結構（hexagonul）（C）單斜結構（monoclinik） ( C ) 金屬氧化物半導體（MOS）的氣體感測具有那些優缺點，何者為非（Ａ）穩定性高（Ｂ）靈敏度較低（Ｃ）操作溫度高 ( ) Ga的掺雜可調節能隙值，會導致能隙值（Eg）增加，對元件的光電轉換效率有很大的好處(A) True, (B) False, (C) Not certain ( A ) Ga的掺雜可調節能隙值，會導致能隙值（Eg）增加，對元件的光電轉換效率有很大的好處(A) True, (B) False, (C) Not certain ( ) 日常所使用的太陽能電池，一般是以何種材料當作基板(A)玻璃(B) 鐵板 (C)塑膠 ( A ) RF power supply 所採用的頻率為何Hz (A) 13.6, (B) 12.6, (C) 10.6 ( ) 本系統的RF power supply最大的功率極限為何 . (A) 1000, (B) 1400 ( B ) 本系統的RF power supply最大的功率極限為何 . (A) 1000, (B) 1400 ( ) 本系統的離子束產生搭配裝置是否有直流電源供應器 (A) Ture, (B) False ( A ) 本系統的離子束產生搭配裝置是否有直流電源供應器 (A) Ture, (B) False ( ) 在XRD的繞射光譜中是根據哪種光譜來獲得繞射訊息(A) 特徵光譜, (B) 連續光譜. ( A ) 在XRD的繞射光譜中是根據哪種光譜來獲得繞射訊息(A) 特徵光譜, (B) 連續光譜. ( ) XRD是根據何定律成立的 (A) 歐姆定律, (B) 牛頓第二定律, (C) 布拉格定律 ( C ) XRD是根據何定律成立的 (A) 歐姆定律, (B) 牛頓第二定律, (C) 布拉格定律 ( ) 在X光管內部是否為真空狀態 (A) True, (B) False ( A ) 在X光管內部是否為真空狀態 (A) True, (B) False 第三單元超高真空磁控濺鍍奈米氣體感測薄膜製備與分析 逢甲大學材料科學與工程學系編製 ( ) 氧化鎢（WO3）薄膜具有何種結構（A）鈣鈦礦結構（ Perovskite）（B）六方晶結構（hexagonul）（C）單斜（monoclinik） ( A ) 氧化鎢（WO3）薄膜具有何種結構（A）鈣鈦礦結構（ Perovsk