负载线由a经过d到达c缓冲电路不仅降低了器件的关断损耗.ppt

电力电子器件 反向截止状态：当PN结外加反向电压，外加电场方向与内电场方向相同，使空间电荷区加宽，少子的漂移运动大于多子的扩散运动，产生自N区至P区的电流，该电流被称为反向电流。由于少子的浓度很小，因此此时的PN结表现为高阻态。 击穿：当PN结承受反向电压时，随着反向电压的升高，空间电荷区的宽度及电场强度的峰值均随之增加，当电场强度超过一定限度时，就会击穿。 PN结的电击穿有两种形式:雪崩击穿（低参杂、高反压、共价键）和齐纳击穿（高参杂、低反压、PN结薄）。反向击穿发生时，只要外电路中采取了措施，将反向电流限制在一定范围内，保证PN结的耗散功率不超过允许值，PN结仍可恢复正常。如果超过了允许的耗散功率。就会导致PN结温度过高而烧毁，这种现象称为热击穿。 1.正向平均电流IF(AV)：在指定的管壳温度和散热条件下，其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。（降额） 快恢复二极管经常用占空比为一定数值（0.5）的方波电流的平均值标注二极管的额定电流。 以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的 ！ MOSFET及IGBT均为电压驱动型器件，其静态输入电阻很大，驱动功率小。 栅源间、栅射间存在输入电容，器件高频通断时，电容频繁充放电，为快速建立驱动电压，要求驱动电路输出电阻小，且具有一定的驱动功率。 2.4.2 MOSFET及IGBT的保护 关断缓冲电路 将多个电力电子器件封装在一个模块中，可以减少装置体积，简化布局、布线，降低成本，提高可靠性。 对工作频率高的电路，可大大减小线路电感，简化对保护和缓冲电路的要求。 Power module (PM) or power integrated modules (PIM) 将IGBT、辅助器件、驱动和保护电路集成在一起，称为intelligent power module (IPM)。 进一步简化硬件电路，减小体积，提高可靠性。 四种结构形式：单管封装、双管封装、六合一封装和七合一封装。 功率集成电路 将电力电子器件与逻辑、控制等信息电子电路制作在同一 芯片上，则称为功率集成电路PIC。 功率集成电路分为两类： 高压集成电路，简称HVIC，它是横向高压电力电子器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成； 智能功率模块，简称SPIC，它是电力电子器件与控制电路、保护电路以及传感器等电路的多功能集成。 TOPswitch单片开关电源是典型的功率集成电路，由美国PI公司于1994年开始制作。将功率MOSFET、PWM控制器、电压基准、误差放大器和过流、过热保护等电路集成在一起。3脚封装。 TOPswitch电源举例(4W) 第 3 章 无源元件 电解电容器是以金属极板上的一层极薄的氧化膜作为介质，金属极片为电容器的正极，负极为固体或液体电解质。由于氧化膜介质具有单向导电性的特点，电解电容器有极性。 用于输入整流滤波及输出滤波。主要有铝电解、铌电解、钽电解电容器三种。由于钽电解、铌电解电容器价格高，且耐压低，在开关电源中应用的绝大多数为铝电解电容器。 纹波(ripple)的定义 ?由于直流稳定电源一般是由交流电源经整流稳压等环节而形成的，不可避免地在直流稳定量中带有一定的交流成份，这种叠加在直流稳定量上的交流分量就称之为纹波 。 纹波的表示方法可以用有效值或峰值来表示，可用绝对量，也可用相对量表示。例如一个电源工作在稳压状态，其输出为100V/5A，测得纹波电压的有效值为10mV，这10mV就是纹波的绝对量，而相对量即 纹波系数=纹波电压/输出电压=10mv/100V=0.01%，即等于万分之一。 额定纹波电流又称为最大允许纹波电流 定义为：在最高温度工作温度条件下电容器最大所能承受的交流纹波电流有效值。并且指定的纹波为标准频率（一般为 100Hz/120Hz ）的正弦波。 纹波电压，是指输出电压中50赫或100赫的交流分量，通常用有效值或峰值表示。经过稳压作用，可以使整流滤波后的纹波电压大大降低，降低的倍数反比于稳压系数 。 最大纹波电压 在额定输出电压和负载电流下，输出电压的纹波（包括噪声）的绝对值的大小，通常以峰峰值或有效值表示。 纹波电压系数：在额定负载电流下，输出纹波电压的有效值与输出直流电压之比。 纹波电压抑制比 ：在规定的纹波频率（例如50HZ）下，输入电压中的纹波电压与输出电压中的纹波电压之比。 纹波电压测量一般使用交流毫伏表，因为交 流毫伏表只对交流电压响应，并且灵敏度比较高，可测量很小的交流电压，而纹波往往是比较小的交流电压。 若没有交流毫伏表，也可使用示波器来测量。将示波器的输入设置为交流耦合，调整幅值增益，使波形大小合适，