半导体器件三极管场效应管gai.pptVIP

第1章 半导体器件 三极管电流形成原理演示 共射输出特性 需要注意的问题: 1.PNP型双极型三极管的放大原理 外加电压,载流子,电流方向 2.关于饱和的进一步理解 （4）集电极ICM:由三极管的输出特性曲线可以看出，IC在一定范围内变化时， 和β值基本不变。当Ic超过一定数值时，三极管的β值开始下降。通常将β值下降到正常数值的三分之二时所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。IC超过ICM时，三极管不一定损坏，但放大能力下降了。 （5）极间反向击穿电压:在基极开路的情况下，当集电极、发射极之间的电压UCE增大到一定数值时，三极管的集电结将被击穿，集电极电流突然大幅度上升，这时的集—射极电压就是U(BR)CEO。U(BR)CEO与温度有关，温度升高后U(BR)CEO将要降低，使用时应注意。 （6）集电极最大允许功耗PCM 三极管工作时消耗的功率PC＝ICUCE将使三极管发热，引起参数的变化。将三极管参数变化不超过规定允许值时，集电极所消耗的最大功率称为集电极最大允许耗散功率PCM。PCM主要受结温的限制，结温又与环境温度和散热条件有关。通常硅管的最高允许结温为150℃，锗管为75℃。 由PCM＝ICUCE可以在三极管的输出特性上画出允许功率损耗线，简称PCM曲线，PCM曲线的右上方为过损耗区。 结型场效应管结构 结型场效应管输出特性 N沟道MOS绝缘栅场效应管 绝缘栅场效应管工作原理 绝缘栅场效应管工作原理 转移特性曲线 跨导gm N N ID ID IS IS P+ P+ P+ P+ VDD VDD VGG UGS=0,UDG|Up|,耗尽层较窄， 导电沟道较宽，沟道的电阻小， 由于源漏极间有电压，所以它 们之间有一个较大的电流ID。 UDS0 UGS0,UDG|Up|,耗尽层 宽度增大，导电沟道变 窄，沟道电阻增大，ID 减小。 N IS IS ID ID P+ P+ P+ P+ UGS0,UDG=|Up|，耗尽 层继续扩展，导电沟道继 续变窄，ID继续减小 UGS?Up,UDG|Up|，耗尽 层全部合拢，ID?0，夹断 改变栅极和源极之间的电压UGS可控制漏极电流ID. 输出特性曲线 UGS=|UP| 固定一个U DS，画出ID和UGS的关系曲线，称为转移特性曲线 U DS （V） ID（mA） 0 1 3 2 4 可变电 阻区 恒流区 击穿区 二、MOS绝缘栅场效应管（N沟道） （1） 结构 P N N G S D P型基底 两个N区 SiO2绝缘层 金属铝 N导电沟道 未预留? N沟道增强型 预留? N沟道耗尽型 金属-氧化物-半导体场效应管 P N N G S D G S D N沟道增强型 （2）符号 N沟道耗尽型 G S D 栅极 漏极 源极 （3）、工作原理（N沟道增强型） 利用UGS来控制感应电荷的多少，从而改 变由这些感应电荷形成的导电沟道的情况， 达到控制漏极电流的目的。 P N N G S D UGS=0时，不导电。 S D B P N N G S D B VGG N型沟道 UGSUT时，衬底形成一个N型层，标志着形成导电 沟道，把S和D连接起来。 当加上UDS,并且UDSUGS-UT,即UGD=UGS-UDSUT。 形成电流ID。 UDS??ID ?, UGD ? 反型层 UDD 开启电压 当UGDUT时，将不足以在漏极产生导电沟道——“夹断”。ID不再增加。 UGDUT的区域称为饱和区 * 1.1半导体的特性 1.2 PN结及半导体二极管 1.3 双极型三极管 1.4 场效应三极管 §1.3双极型三极管（Bipolar Junction Transistor) 1.3.1 基本结构 B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 B E C NPN型三极管 B E C PNP型三极管 三极管符号 N P N C B E P N P C B E B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 发射结 集电结 B E C N N P 基极(base) 发射极(emitter) + + + + + + + + + + + + + _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ + + + + + + + + + + + + + 集电极(collector) 1.3.2 电流放大原理（NPN型） B E C N N P EB RB Ec 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 IE 1 进入P区的电子少部分与基区的空穴复