IRGI4062DPBF;中文规格书,Datasheet资料35.pdfVIP

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2018-05-19 发布于贵州
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IRGI4062DPBF;中文规格书,Datasheet资料35.pdf

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IRGI4062DPBF;中文规格书,Datasheet资料35

IRGI4062DPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features C • Low VCE (ON) Trench IGBT Technology VCES = 600V • Low switching losses I = 12A, T = 100°C • 5 µS short circuit SOA C C • Square RBSOA • 100% of the parts tested for ILM G tSC ≥ 5µs, TJ(max) = 150°C • Positive VCE (ON) Temperature co-efficient • Ultra fast soft Recovery Co-Pak Diode E VCE(on) typ. = 1.34V • Tight parameter distribution n-channel • Lead Free Package Benefits C • High Efficiency in a wide range of applications • Suitable for a wide range of switching frequencies due to Low VCE (ON) and Low Switching losses • Rugged transient Performance for increased reliability • Excellent Current sharing in parallel operation • Low EMI