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2018-05-19 发布于贵州
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MC2301ADS规格书33

Freescale Si 2301ADS / MC2301ADS P-Channel 20-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARY rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat V (V) r (OHM) I (A) dissipation. Typical applications are DC-DC DS DS(on) D converters and power management in portable and 0.130 @ V = -4.5V -2.6 GS battery-powered products such as computers, -20 0.190 @ V = -2.5V -2.1 printers, PCMCIA cards, cellular and cordless GS telephones. • Low rDS(on) provides higher efficiency and extends battery life G • Low thermal impedance copper leadframe SOT-23 saves board space D • Fast switching speed • High performance trench technology S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 oC UNLESS OTHERWISE NOTED) A Parameter Symbol Maximum Units Drain-Source Voltage VDS -20 V Gate-Source Voltage VGS ±8