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vlsi分析与模拟作业作业三
VLSI分析與模擬作業(作業三)
班級:四技晶片三甲
學號:姓名:王嵩堡
第一題:
ㄧ、題目
下圖為三級的CMOS 所組成串級放大電路,電壓增益由三個放大器的個別增益乘積所得。
二、目的
(a)直流分析:DC=2.5V, 執行0~5V 掃描,VIN,VOUT1,VOUT2,VOUT3 波形圖。
(b)暫態分析: 直流偏移 DC=2.5V,振幅 20 mv,頻率 10kHz 弦波,執行0s~300us 頻率掃描,VIN, VOUT1,VOUT2,VOUT3 波形圖。
(c)交流分析(log): AC=1V 交流電源,執行 0.01Hz ~ 1GHz 頻率掃描,VOUT1,VOUT2,VOUT3 波形圖,求出每ㄧ級的放大率(db 値)。
(d)雜訊分析: 總等效輸入雜訊與總等效輸出雜訊對頻率的關係圖。
三、電路圖
四、程式執行檔
AC ANALYSIS FOR CMOS OPA - NOISE
.options LIST node post
VDD 1 GND DC=+5V
VIN IN GND DC=+2.5V SIN(+2.5V 20mV 10K) AC=+1V
RREF 2 GND 9.5K
RL OUT3 GND 1MEG
M1 2 2 1 1 PMOS L=1U W=5U
M2 OUT1 2 1 1 PMOS L=1U W=5U
M3 OUT1 IN GND GND NMOS L=1U W=2.5U
M4 OUT2 OUT1 GND GND NCH_1 L=1U W=2U
M5 OUT2 OUT2 1 1 PCH_1 L=1U W=1U
M6 OUT3 OUT2 1 1 PCH_2 L=1U W=8U
M7 OUT3 OUT3 GND GND NCH_2 L=1U W=1U
.MODEL NMOS NMOS(KP=40U VTO=+0.75V LAMBDA=0.2
+ CGSO=15N CGDO=15N KF=1E-20 AF=1)
.MODEL PMOS PMOS(KP=20U VTO=-1.0V LAMBDA=0.2
+ CGSO=15N CGDO=15N KF=1E-20 AF=1)
.MODEL PCH_1 PMOS(KP=20U VTO=-1.0V LAMBDA=0.01
+ CGSO=15N CGDO=15N KF=1E-20 AF=1)
.MODEL PCH_2 PMOS(KP=20U VTO=-1.75V LAMBDA=0.01
+ CGSO=15N CGDO=15N KF=1E-20 AF=1)
.MODEL NCH_1 NMOS(KP=40U VTO=+1.75V LAMBDA=0.01
+ CGSO=15N CGDO=15N KF=1E-20 AF=1)
.MODEL NCH_2 NMOS(KP=40U VTO=+1.0V LAMBDA=0.01
+ CGSO=15N CGDO=15N KF=1E-20 AF=1)
.OP
.DC VIN 0V 5V 0.01V
.TRAN 0.01US 300US
.AC DEC 100 0.01HZ 1GHZ
.DISTO RL 0 0.8 1.0 2
.NOISE V(OUT3) VIN 0
.PRINT AC VDB(OUT3) VDB(OUT2) VDB(OUT1)
.PRINT DISTO HD3 SIM2(DB)
.PRINT NOISE INOISE ONOISE
.END
五、執行結果
(a)直流分析結果:
由上圖可得知曲線在VIN=2.5V附近的輸出電壓斜率隨著放大電路的級數增加而更加傾斜。
(b)暫態分析結果:
(c)交流分析(log) 結果:
由上圖可得知 VOUT1的低頻放大率為12.6dB;VOUT2的低頻放大率為18.5 dB;
VOUT3的低頻放大率為24.5 dB
(d)雜訊分析結果:
第二題:
ㄧ、題目
下圖為一具有回授元件之兩級MOS 放大電路,試執行下列分析:
R3=10kΩ、20kΩ、30kΩ、40kΩ 時的頻率響應圖(log)。(頻率掃描1Hz~1GHz)。
二、目的
求R3 各値的低頻增益值(db)及頻寬(Hz)[頻寬係指低頻增益下降 3db 値時的頻率值]。
三、電路圖
四、程式執行檔
Solution For Exercise 2
.options LIST node post
.PARAM R3_VALUE=10K
VDD 1 0 DC=+5V
VS 5 0 DC=2.5V AC=1V
M1 2 5 4 0 NMOS L=2U W=20U
M2 3 2 1 1 PMOS L=2U W=20U
R1 1 2 20K
R2 4 0 5K
R3
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