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单片机原理及其应用 第5章 单片机的存储器的扩展 单片机系统的三总线的构造 半导体存储器 程序存储器和数据存储器的扩展方法 程序存储器和数据存储器的综合扩展 单片机系统的扩展是建立在地址总线（AB）、数据总线（DB）和控制总线（CB）基础上的，这些总线都是并行的，能够理想地匹配CPU的处理速度。任何单片机之外的芯片和硬件资源必须通过总线与单片机相连，才能被单片机有效地管理，成为系统的有机组成部分。MCS-51 单片机对外没有专用的地址总线（AB）、数据总线（DB）和控制总线（CB），在进行系统扩展时，首先需要扩展系统的三总线。 5.1 单片机系统的三总线的构造 5.1 单片机系统的三总线的构造 当MCS-51单片机需要扩展外部ROM或外部RAM时，P0口可以提供低八位地址总线和数据总线，P2口提供高八位地址总线，这种情况下，P0和P2就不能再作为I/O使用了。对P0口采用分时复用技术使P0口的数据和地址分离。在时序上，P0口在ALE为有效高电平期间，输出低8位地址A7~A0，同时，P2口上输出高8位地址A15~A8。在ALE为有效低电平时，CPU对A15~A0状态指定的单元进行操作，此时，P0口作为数据总线。 5.1 单片机系统的三总线的构造 在单片机的片外增加一片地址锁存器，以ALE作为锁存控制信号，连接到锁存器的控制端G。当ALE为高电平时，P0口输出地址信息，在ALE出现下跳沿时，把P0口的地址信息锁存。ALE为低电平期间P0用作数据总线口。 5.1 单片机系统的三总线的构造 采用地址锁存器使P0口分时提供的地址和数据信息分离，形成了分立的并行总线：地址总线、数据总线和控制总线，单片机的存储器、并行I/O扩展以及其他部件的扩展都是以此为基础进行的。 地址总线（Address Bus，AB）由P0口输出的低8位地址必须经地址锁存器（74LS373或74LS273）锁存，这样，P2口和地址锁存器的8位输出构成了MCS-51的地址总线A15~A0. 5.1 单片机系统的三总线的构造 数据总线（Data Bus，DB）传送的是数据信息，数据总线是双向的。数据总线用于在单片机与存储器之间、单片机与I/O口之间的数据传送。单片机的数据总线为8位，由P0口提供，数位与P0口之间的对应关系为: 5.1 单片机系统的三总线的构造 控制总线（Control Bus，CB）用来传送控制信号，用来协调单片机系统中各个部件的工作。MCS-51单片机与扩展相关的控制总线如下： （1）ALE——用来实现低8位地址的锁存。 （2） EA ——片内/片外程序存储器选择控制信号。 （3）PSEN——外部程序存储器读选通信号。 （4）WR ——扩展的外部数据存储器和外部I/O口的写控制信号，是P3.6的第2功能，单片机输出的信号； （5）RD ——扩展的外部数据存储器和外部I/O的读控制信号，是P3.7的第2功能，单片机输出的信号。 存储器是计算机的记忆部件。CPU 要执行的程序、要处理的数据及中间结果等都存放在存储器中。存储容量和存取时间是存储器的两项重要指标，它们反映了存储记忆信息的多少与工作速度的快慢。根据读的方式，可分为随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）两大类。 5.2.1 随机存取存储器 随机存取存储器（Random Access Memory，RAM）可以多次写入和读出，每次写入后，原来的内容自动消失，被新写入的内容代替；对RAM进行读操作，不会改变RAM存储单元的内容；当电源掉电时，RAM里的内容随即消失。 RAM可分为为静态RAM和动态RAM。 静态RAM存取速度快，只要不掉电就可以持续地保持存储内容不变。在单片机应用系统被广泛使用。 动态RAM采用MOS晶体管栅极电容动态地存储电荷。存储信息的电容有足够多的存储电荷时表示“1”，无存储电荷时表示“0”。由于电容上的电荷会因电路泄漏而逐渐消失，即使电源不掉电，经过一段时间，动态RAM中的所存储的信息也会丢失。 RAM是由若干个单元构成的，RAM内容的存取是以字节为单位的，为了区别各个不同的单元，将每个存储单元赋予一个编号，即存储单元的地址。存储单元是存储信息的最基本单位，不同的单元有不同的地址。在进行读写操作时，可以按照地址访问某个单元。 5.2.2 只读存储器 只读存储器（Read Only Memory，ROM），ROM一般用来存储程序和表格常数。