体硅工艺中单粒子多瞬态效应的研究-工业技术创新.PDF

年第 卷第 期 体硅工艺 中单粒子多瞬态效应的研究 梁永生 吴郁 郑宏超 李 哲 北京工业大学 信息学部北京 北京微电子技术研究所北京 摘 要针对 场效应晶体管由重离子辐射诱导发生的单粒子多瞬态现象参考 体硅 的单粒子 瞬态效应的试验数据 采用 仿真手段 搭建了 体硅 晶体管的 模型 并进一步对无加固结构 保 护环结构 保护漏结构以及保护环加保护漏结构的抗单粒子瞬态效应的机理和能力进行仿真分析 结果表明 器 件的源结和保护环结构的抗单粒子多瞬态效应的效果更加明显 关键词单粒子效应单粒子瞬态电荷共享抗辐射 中图分类号文献标识码文章编号 在空间辐射环境中集成电路会受到各种宇宙射线 对于 工艺中的 和 的单粒子瞬 和粒子的辐射其中单粒子效应作为破坏较为显著的 态效应其产生机理和恢复过程有所不同 发 一种辐射效应逐渐引起人们的重视 随着集成 生单粒子瞬态时其加固技术要求对其中发生的寄生 电路工艺尺寸的缩小电路中的器件密度及其元胞密 双极晶体管的放大效应进行抑制研究表明保护环结 度不断提高致使单个粒子辐射的作用范围能够覆盖 构对 的单粒子瞬态的恢复效果显著 而 到多个器件 进而造成电路中多个节点产生电荷收集 型衬底双阱工艺发生单粒子瞬态时基本不 效应在电路中产生多个电流瞬态和电压扰动这便是 存在寄生双极晶体管放大效应因此其加固技术要求 单粒子辐射电荷共享造成的单粒子瞬态效应 如果电 更快的排除器件内部积累的电荷 目前较常用 路中的多个单粒子瞬态脉冲都能够在电路中传播捕 的抗辐射加固手段 如保护环 保护漏等 对 中 获 则会造成电路失效 研究表明 单粒子电荷共享现 单粒子电荷共享下的单粒子瞬态也有不同的表现 象从 尺寸的集成电路中就开始出现 随着集 但是 目前国内外鲜有针对 中单粒