电子教案---单片机原理及应用——基于Proteus和Keil C(第2版)[林立,张俊亮]第8章精品.ppt

* 参见， * 参见， * 参见， * 参见，胡汉才，p.252 * 参见，胡汉才，p.252 * 参见， * 参见，胡汉才，P.254 * 参见，胡汉才，P.254 * 参见，胡汉才，P.254 * 参见，胡汉才，P.254 * 参见，胡汉才，P.254 * 参见，胡汉才，单片机原理及其接口技术，P.237 * 参见，胡汉才，单片机原理及其接口技术，P.237 * 参见，胡汉才，单片机原理及其接口技术，P.237 * 参见，胡汉才，单片机原理及其接口技术，P.237 * 参见，单片机中级教程，P.162 * 参见，陈建铎，单片机原理及应用，P.150 * 参见，陈建铎，单片机原理及应用，P.150 * 参见，陈建铎，单片机原理及应用，P.150 * 参见，陈建铎，单片机原理及应用，P.150 * 参见，陈建铎，单片机原理及应用，P.150 * 参见，希望图书创作室，P.12 * 参见，单片机初级教程，p174 * 参见， * 参见， * 参见， 第8章 单片机接口技术 电路分析 由P2.0形成高8位地址（0xfe），与WR信号合成START/ALE正脉冲启动ADC，与RD信号合成OE正脉冲输出转换数据； 启动IN0～IN7通道AD转换的命令的地址为：0xfef8，……，0xfeff。 读取AD结果的命令的地址为：任何高8位为0xfe的地址均可。 EOC信号经非门接P3.3可形成一负脉冲信号（查询转换结束标志） ； AD转换的时钟由虚拟信号发生器提供，频率5kHz； 第8章 单片机接口技术 电路分析 实例8参考程序 第8章 单片机接口技术 实例8运行效果 第8章 单片机接口技术 8.1 单片机的系统总线 8.2 简单并行I/O口扩展 8.3 可编程并行I/O口扩展 8.4 D/A转换与DAC0832应用 8.5 A/D转换与ADC0809应用 8.6 开关量功率驱动接口技术 8.6.1 开关量功率驱动接口 8.6.2 开关量功率驱动接口应用举例 第8章 单片机接口技术 1、三态门和OC门驱动电路 （1）TTL三态门缓冲器 74LS244、74LS245等门电路芯片具有TTL三态门缓冲器,其高电平输出电流为15mA，低电平输入电流为24mA，均大于单片机I/O口，一般可用于光耦隔离器、LED数码块等小电流负载的驱动。 第8章 单片机接口技术 （2）集电极开路门（OC门） OC门驱动电路的输出级是1个集电极开路的晶体管，所以又称为开集输出。 a) b) 图8.36 OC门驱动电路 第8章 单片机接口技术 2、小功率晶体管驱动电路 OC门的驱动电流在几十毫安量级，如果被驱动设备所需驱动电流要求在几十到几百毫安时，可以通过小功率晶体管电路驱动。三极管具有放大、饱和和截止3种工作状态，在开关量驱动应用中，一般控制三极管工作在饱和区或截止状态，尽量减小饱和到截止的过渡时间。  第8章 单片机接口技术 3、达林顿驱动芯片 对于晶体管开关电路，输出电流是输入电流乘以晶体管的增益，因此，在应用中，为保证足够大的输出电流必须采用增大输入驱动电流的办法。 达林顿管内部由两个晶体管构成达林顿复合管，具有输入电流小，输入阻抗高、增益高、输出功率大、电路保护措施完善等特点。 第8章 单片机接口技术 4、光电隔离驱动器件 在开关量输出通道中，为防止现场强电磁干扰或工频电压通过输出通道反窜到测控系统，一般都采用通道隔离技术。 实现通道隔离的常用器件是光电耦合器，发光二极管中通过一定电流时会发出光信号，被光敏器件接收后可使其导通。而当该电流撤掉后，发光二极管熄灭，光敏器件截止，从而达到信号传递和通道隔离的目的。 第8章 单片机接口技术 5、电磁继电器 电磁继电器是较为常用的开关量输出方式。与晶体管相比，继电器的输入端与输出端有较强隔离作用。输入部分通过直流控制，输出部分可以接交流大功率设备，达到通过弱电信号控制高压、交直流大功率设备的目的。 第8章 单片机接口技术 6、可控硅驱动器件 可控硅(SCR)又称晶闸管。 当阳极与阴极、控制极与阴极之间都为正向电压时，只要控制极电流达到触发电流值时，可控硅将由截至转为导通。即使控制极电流消失，可控硅仍能保持导通状态，故通常采用脉冲触发形式，以降低触发功耗。 第8章 单片机接口技术 A G C A1 A2 G 可控硅不具有自关断能力，要切断负载电流，必须使阳极电流减小到触发电流以下，或当阳极与阴极之间加上反向电压才能实现关断。在交流回路中，当电压过零和进入负半周时，可控硅自动关断。为使其再次导通，必须重新在控制极加触发电流脉冲。