模电助教版第1章 沈连丰.pptVIP

UBR U(V) 0 0.3 0.7 I(mA,A) 2 1 -IS -0.1 (nA,?A) 正向特性 反向特性 反向击穿 特性 I + U - VF=0.7(Si),0.3(Ge) Uth=0.5(Si),0.1(Ge) I1 + U1 - I2 + U2 - 1.2 半导体二极管 P3 1.2.3 稳压二极管、光电二极管、发光二极管 E = 200 lx E = 400 lx E = 0 lx I1 + U1 - I2 + U2 - +12V R 1k? +12V R 1k? 计数，报警，节电节水控制；测速； 遥控器，光纤通信，光驱，PC串口； 光电耦合器(实现电气隔离)等. UBR U(V) 0 0.3 0.7 I(mA,A) 2 1 -IS -0.1 (nA,?A) 正向特性 反向特性 反向击穿 特性 I + U - VF=0.7(Si),0.3(Ge) Uth=0.5(Si),0.1(Ge) 1.2 半导体二极管 P3 1.2.3 稳压二极管、光电二极管、发光二极管 肖特基二极管 P17 主要特点： 导通电压较低（0.2V ～0.4V）左右)； 导通时存储的非平衡载流子数量少， 关断时间很短。 在高速数字电路和大电流整流中获 得很好的应用。 UBR（VBR）较小。 其它： (单极型器件) UBR U(V) 0 0.3 0.7 I(mA,A) 2 1 -IS -0.1 (nA,?A) 正向特性 反向特性 反向击穿 特性 I + U - VF=0.7(Si),0.3(Ge) Uth=0.5(Si),0.1(Ge) 1.2 半导体二极管 P3 1.2.3 稳压二极管、光电二极管、发光二极管 变容二极管 P17 其它： 结电容 Cj： 垫垒电容 CB 、扩散电容 CD 非线性 几十pF PN结的电容效应 P6 低频时，因容抗很大，可忽略结电容 Cj 的影响。 高频时，因容抗变小，结电容分流大增，导致单向导电性变差。 fM — 最高工作频率 (超过时单向导电性变差) UBR U(V) 0 0.3 0.7 I(mA,A) 2 1 -IS -0.1 (nA,?A) 正向特性 反向特性 反向击穿 特性 I + U - VF=0.7(Si),0.3(Ge) Uth=0.5(Si),0.1(Ge) 1.2 半导体二极管 P3 1.2.3 稳压二极管、光电二极管、发光二极管 变容二极管 P17 其它： 结电容 Cj： 垫垒电容 CB 、扩散电容 CD 非线性 几十pF PN结的电容效应 P6 反向偏置时，PN结的等效电阻很大，等效电容与所加反向电压的大小有关。 变容二极管的电容很小，一般为pF数量级，通