线性电子电路资料.docVIP

1在本征半导体中：自由电子和空穴总是成对出现的，温度是半导体的一个重要因素，温度升高电电流增大，电压减小，B增大。二极管的其U—I正向曲线向左移，反向则向下移。 2半导体载流子运动可分为漂移运动和扩散运动，空间电荷就是耗尽层， 3扩散运动形的电场称为内电场，阻碍多数载流子的扩散运动，有利于少数载流子的漂移运动，称为PN结。 4外加正向电压使空间电荷变窄，内电场减小，反之称为反向电压。 5PN结的电容效应是PN的基本特征，包括势垒电容和扩散电容。 6硅的降为0、5伏，锗为0、2。 7二极管的反击可分为雪崩击和齐纳击穿。 8稳压管的稳压工作用于很大的电流变化，却只引起很小的电压变化。有非线性的特点。 9FET按结构分为：结形场效应管和绝缘形栅金属氧化物半导体 10当电压UGS=0时，没有导电沟道称为E型，E型只有加上一定的电压才能形成导电沟道，称为增强型，当UGS=0时存在导电沟道的称为D型。是电压控制电，能常把形成沟道时的电压称为开启电压UT，N沟道E形MOS管为正，P沟道为负。 11N沟道D形MOSFET和N沟道结型FET的UP大于0。P沟道D和P沟道结型FET为负。 12N沟道E型MOSFET的UT（开启电压）大于是零，P沟道E型小于零， 13FET是利用电场效应来改变内部导电沟道，从而控制漏极电流， 14BJT的输出特性包括饱和、工作、载止区。FET包括可变电阻、饱和、载止区。称为有源器件。 15增益是放大电路最基本特征。输入电阻是向从信号索取电流大小的能力。输出电阻越小越好，说明带负载能力愈强。 16Q点过向BJT会进入饱和区、Q点过低会进入载止区，在这两个区IC不等于B倍IB从而产生了非线失真， 17在发射极接的电阻是：当静态电流IE通过它时产生直流压降， 18电流源的主要特点是：直流电阻小，交流内阻大。在模拟电路中主要用作负载和偏置电路。理想时为无穷大，电流不随电压变化，电流源的交流内阻很大。 19电流镜是一种电流控制受制电流源，具有跟随性， 20共集放大电路具有输入阻抗高，输出阻抗低。有电流放大能力的特点。 21差分电路对温漂的抑抑制能力也就是对其共模信号的抑制能力。 22级与级之间的连接称为耦合，常用的耦方式有：阻容、直接、变压器三种。 23共射-共射组态相同的特点：1输入阻抗大，其值与共射组态相同，2电压增益等于1，因此采用它不但可以扩大放大电路的带宽而且能改善高频响应特性， 24共集-共基的特点：组合放大电路的增益、输入电阻并不是很高，但高频响应特性好， 25消除交越失真。共射电路又称为反相电压放大器，共集又称电压跟随器，共基又称电流跟随器，共源又称反相电压放大器，共漏电路又称电压跟随器， 26MOS集成电路主要有NMOS和CMOS两类。 27集成运放的主要参数：差模参数分为三类：开环差模电压增益AUO，2差模输入电阻和输出电阻，3最大差模输入电压，2输入失调参数人五点，输入失调电压，输入失调电压温漂，输入失调电流。 28理想运放的特性：开环差模电压增益无穷大，输入电阻无穷大，带宽无限大，共模抑抑制比无穷大，输出电阻无穷大。输入失调电压电流都为零。 30在断虚短的前提下：即运算放大器应工作在线性区且为深度负反馈。 1C语言的上机步骤：编辑、编译、连接、运行， 2数据类型：1基本类型，整型的范围的类型—32768~32767、实型分为单精度float和双精度double、8个字节，字符型。 3十进进制以非零开头，八进制以零开头0~7组成，十六进制以0X进头， 4字符常量是以单引号括起的，字符串是以双引号括起的，在其尾部追加一个转义字符＼0； 5转义字符表：＼0表是空操作字符表示字符结束，＼n表是换行，＼t表示横向到下一格，＼v纵向到下一行，＼b左退一格， 6程序中用#define命令定义了符号常数用大写字表示， 7++A表示先加再乘，A++表示先乘加， 8：C语言分为五大类：表达式语句，函数调用语句，复合语句，空语句和控制语句， 9：C语言的控制语句表：if()~else~条件语句，for()~循环语句，while()~循环语句do~while()循环语句，switch多分支选择语句， goto转向语句 continue结束本次循环， break中断， return返回语句， 10输出语句的输出表列不允许有语句， 11格式输出函数printf由双引号格式说明、按原样输出的字符， 12%d以十进的实际长度，%f以小数形式输出、双精度，输出六位小数，%c以字符形式输出一个单精度，%s以字符串形式输出若干个字符，%表示输出%号本身， 13带符号数是以机器数的被码形式存储和运算的。最高位表示符号。 14输出格式的选择：+表示向右靠，—表示向左靠，0表示不用位置填零，无零时不用位置填空格， 15格式输入函数scanf（“