大功率LED封装技术详解汇.pdfVIP

深 圳 添 舜 迈 图 硅 材 料 代 理 商 JekePeng 1392-744-9395 MSN:yogaled@QLED封装材料供应商 大功率LED 封装技术 关键词： 从实际应用的角度来看,安装使用简单、体积相对较小的大功率LED器件在大部分的照明应 用中必将取代传统的小功率LED器件。由小功率LED组成的照明灯具为了满足照明的需要, 必须集中许多个LED 的光能才能达到设计要求,但带来的缺点是线路异常复杂、散热不畅, 为了平衡各个LED之间的电流、电压关系,必须设计复杂的供电电路。相比之下,大功率单体 LED的功率远大于若干个小功率LED的功率总和,供电线路相对简单,散热结构完善,物理特 性稳定。所以说,大功率LED 器件的封装方法和封装材料并不能简单地套用传统的小功率 LED器件的封装方法与封装材料。大的耗散功率、大的发热量以及高的出光效率,给LED封 装工艺、封装设备和封装材料提出了新的更高的要求。 1、大功率LED芯片 要想得到大功率LED器件,就必须制备合适的大功率LED芯片。国际上通常的制造大功率 LED芯片的方法有如下几种： ① 加大尺寸法。通过增大单体LED的有效发光面积和尺寸,促使流经TCL层的电流均匀分 布,以达到预期的光通量。但是,简单地增大发光面积无法解决散热问题和出光问题,并不能达 到预期的光通量和实际应用效果。 ② 硅底板倒装法。首先制备出适合共晶焊接的大尺寸 LED芯片,同时制备出相应尺寸的硅 底板,并在硅底板上制作出供共晶焊接用的金导电层及引出导电层(超声金丝球焊点),再利用 共晶焊接设备将大尺寸LED芯片与硅底板焊接在一起。这样的结构较为合理,既考虑了出光 问题又考虑到了散热问题,这是目前主流的大功率LED的生产方式。 美国Lumileds 公司于2001 年研制出了AlGaInN功率型倒装芯片(FCLED)结构,其制造流程 是：首先在外延片顶部的P型GaN上淀积厚度大于500A的NiAu层,用于欧姆接触和背反 射;再采用掩模选择刻蚀掉P型层和多量子阱有源层,露出N型层;经淀积、刻蚀形成N型欧 姆接触层,芯片尺寸为1mm1mm,P 型欧姆接触为正方形,N型欧姆接触以梳状插入其中,这样 可缩短电流扩展距离,把扩展电阻降至最小;然后将金属化凸点的AlGaInN芯片倒装焊接在具 有防静电保护二极管(ESD)的硅载体上。 ③ 陶瓷底板倒装法。先利用LED晶片通用设备制备出具有适合共晶焊接电极结构的大出光 面积的LED 芯片和相应的陶瓷底板,并在陶瓷底板上制作出共晶焊接导电层及引出导电层, 然后利用共晶焊接设备将大尺寸LED芯片与陶瓷底板焊接在一起。这样的结构既考虑了出 光问题也考虑到了散热问题,并且采用的陶瓷底板为高导热陶瓷板,散热效果非常理想,价格 又相对较低,所以为目前较为适宜的底板材料,并可为将来的集成电路一体化封装预留空间。 ④ 蓝宝石衬底过渡法。按照传统的InGaN芯片制造方法在蓝宝石衬底上生长出PN结后, 将蓝宝石衬底切除,再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光LED芯片。 1 深 圳 添 舜 迈 图 硅 材 料 代 理 商 JekePeng 1392-744-9395 MSN:yogaled@QLED封装材料供应商 ⑤AlGaInN碳化硅(SiC)背面出光法。美国Cree公司是全球唯一采用SiC衬底制造AlGaInN 超高亮度LED的厂家,几年来其生产的AlGaInN/SiCa芯片结构不断改进,亮度不断提高。由 于P型和N型电极分别位于芯片的底部和顶部,采用单引线键合,兼容性较好,使用方便,因而 成为AlGaInNLED发展的另一主流产品。 2、功率型封装 功率LED最早始于HP公司于20世纪90年代初推出食人鱼封装结构的LED,该公司于1994 年推出的改进型的SnapLED有两种工作电流,分别为70mA和150mA,输入功率可达0.3W。 功率LED的输入功率比原支架式封装的LED的输入功率提高了几倍,热阻降为原来的几分 之一。瓦级功率LED是未来照明器件的核心部分,所以世界各大公司都投入了很大力量对瓦 级功率LED的封装技术进行研究开发。 LED芯片及封装向大功率方向发展,在大电流下产生比φ5mmLED大10~20倍的光通量,必须 采用有效的散热与不劣化的封装材料解决光衰问题,因此,管壳及封装是其关键技术,目前能 承受数瓦功率的LED封装已出现。5W系列白色、绿色、蓝绿色、蓝色的功率型LED从2003 年年初开始推向市场,白光LED的光输出达187lm,光效为4