2018版物理《学案导学与随堂笔记》人教版（浙江版）选修3-1学案：第三章+磁场+4+Word版含答案.docxVIP

4　通电导线在磁场中受到的力知识内容通电导线在磁场中受到的力考试要求必考加试cd课时要求1.知道安培力的概念，会用左手定则判定安培力的方向.2.知道安培力公式F＝ILB的适用条件，并会用公式解决简单问题.3.会用矢量分解方法推导导线与磁场不垂直时的安培力公式.4.了解磁电式电流表的工作原理.一、安培力的方向[导学探究]　 按照如图1所示进行实验．图1(1)上下交换磁极的位置以改变磁场方向，导线受力的方向是否改变？(2)改变导线中电流的方向，导线受力的方向是否改变？仔细分析实验结果，结合课本说明安培力的方向与磁场方向、电流方向有怎样的关系？答案　(1)受力的方向改变；(2)受力的方向改变；安培力的方向与磁场方向、电流方向的关系满足左手定则．[知识梳理]1．安培力：通电导线在磁场中受的力．2．决定安培力方向的因素(1)磁场方向；(2)电流方向．3．左手定则：如图2所示，伸开左手，使拇指与其余四个手指垂直，并且都与手掌在同一平面内：让磁感线从掌心进入，并使四指指向电流的方向，这时拇指所指的方向就是通电导线在磁场中所受安培力的方向．图24．安培力的特点：F⊥I，F⊥B，即F垂直于B和I决定的平面．[即学即用]　判断下列说法的正误．(1)通电导线所受安培力的方向与磁场的方向垂直．(√)(2)通电导线所受安培力的方向与直线电流的方向垂直．(√)(3)应用左手定则时，四指指向电流方向，拇指指向安培力方向．(√)(4)若电流和磁场方向都变为与原来反向，则安培力的方向也变为与原来反向．(×)二、安培力的大小[导学探究]　(1)在图1所示的实验中，探究安培力的大小与磁场强弱、电流大小、导线长度的关系．①在B、L一定时，增大电流I，导线受力怎么变化？②实验中如何改变导线长度L？在B、I一定时，增大导线的长度L，导线受力怎么变化？(2)长为l的一段导线放在磁场B中，通以电流I，当导线按以下两种方式放置时，所受磁场的作用力分别是多大？①导线和磁场垂直放置；②导线和磁场平行放置．(3)当导线和磁场方向的夹角为θ时，如何计算安培力的大小？答案　(1)①安培力变大　②分别将不同的接点连入电路安培力变大　(2)①F＝IlB　②F＝0(3)将磁感应强度B沿导线方向和垂直导线方向进行分解，分别计算两分磁场对导线的作用力．[知识梳理]同一通电导线，按不同方式放在同一磁场中，受力情况不同．(1)如图3甲，通电导线与磁场方向垂直，此时安培力最大，F＝IlB.(2)如图乙，通电导线与磁场方向平行，此时安培力最小，F＝0.(3)如图丙，通电导线与磁场方向成θ角．可以把磁感应强度B分解为与导线垂直的分量B⊥和与导线平行的分量B∥，如图丁所示．则有B⊥＝Bsin θ，B∥＝Bcos θ，其中B∥不产生安培力，导线受的安培力只是B⊥产生的，因此又得到F＝IlBsin_θ，这是一般情况下安培力的表达式．图3[即学即用]　判断下列说法的正误．(1)通电导线在磁场中不一定受安培力．(√)(2)一通电导线放在磁场中某处不受安培力，该处的磁感应强度一定是零．(×)(3)若磁场一定，导线的长度和电流也一定的情况下，导线平行于磁场时，安培力最大，垂直于磁场时，安培力最小．(×)三、磁电式电流表的构造和原理[知识梳理]1．原理：通电线圈在磁场中受到安培力而偏转．线圈偏转的角度越大，被测电流就越大．根据线圈偏转的方向，可以知道被测电流的方向．2．构造：磁铁、线圈、螺旋弹簧、指针、极靴．3. 特点：极靴与圆柱间的磁场沿半径方向，线圈转动时，安培力的大小不受磁场影响，电流所受安培力的方向总与线圈平面垂直．线圈平面与磁场方向平行，如图4所示．图44．优点：灵敏度高，可以测出很弱的电流．缺点：线圈导线很细，允许通过的电流很弱．[即学即用]　判断下列说法的正误．(1)指针稳定后，线圈受到螺旋弹簧的阻力与线圈受到的安培力方向是相反的．(√)(2)通电线圈中的电流越大，电流表指针偏转角度也越大．(√)(3)在线圈转动的范围内，各处的磁场都是匀强磁场．(×)(4)在线圈转动的范围内，线圈所受安培力与电流有关，而与所处位置无关．(√)一、安培力的方向1．安培力的方向总是既与磁场方向垂直，又与电流方向垂直，也就是说安培力的方向总是垂直于磁场和电流所决定的平面．2．当电流方向跟磁场方向不垂直时，安培力的方向仍垂直电流与磁场所决定的平面，所以仍用左手定则来判断安培力的方向，只是磁感线不再垂直穿过手心，而是斜穿过手心．例1　画出图5中各磁场对通电导线的安培力的方向．图5答案　如图所示解析　无论B、I是否垂直，安培力总是垂直于B与I决定的平面，且满足左手定则．二、安培力的大小1．公式F＝ILBsin θ中B对放入的通电导线来说是外加磁场的磁感应强度，不必考虑导线自身产生的磁场对外加磁场的影响．2．公式F＝ILBsin θ中L